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3D过渡金属镍及其合金薄膜生长动力学与磁特性的数值模拟探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与技术领域，3D过渡金属镍及其合金薄膜凭借其独特的物理化学性质，在众多关键领域展现出不可或缺的应用价值。在电子领域，随着电子产品不断向小型化、高性能化发展，镍及其合金薄膜作为重要的电子材料，广泛应用于电子电路元件制造。例如，镍是手机电子电路中电容的主要成分，新一代电容器采用多层超细镍粉替代传统的金、钯等贵金属，不仅降低了成本，还提升了电子元件的性能和稳定性。在磁性存储领域，镍及其合金薄膜的优异磁性能使其成为制造硬盘、磁性存储器等存储设备的关键材料。这些存储设备的性能很大程度上依赖于薄膜的磁特性，如高存储密度、快速读写速度以及良好的稳定性等，都与镍及其合金薄膜的磁特性密切相关。

深入研究3D过渡金属镍及其合金薄膜的生长动力学和磁特性，对于优化材料性能、拓展其应用领域具有极为重要的意义。从生长动力学角度来看，理解薄膜生长过程中的原子沉积、表面扩散、吸附和解吸等微观过程，能够为精确控制薄膜的微观结构提供理论依据。通过调控生长参数，如沉积速率、衬底温度等，可以实现对薄膜晶粒尺寸、形状、相对密度和表面粗糙度等微观结构的精确控制，从而获得具有特定性能的薄膜材料。而从磁特性研究方面，深入了解镍及其合金薄膜的磁性来源、影响因素以及与微观结构的关系，有助于开发新型的磁性材料和器件。例如，通过改变合金成分、薄膜厚度等因素，可以调控薄膜的磁导率、矫顽力、居里温度等磁性能，以满足不同应用场景对磁性材料的特殊需求。这不仅能够推动现有技术的革新，还可能为新的应用领域开辟道路，如在量子计算、自旋电子学等前沿领域，镍及其合金薄膜的独特磁性能有望发挥重要作用。

1.2国内外研究现状

国内外学者在3D过渡金属镍及其合金薄膜生长动力学和磁特性方面开展了大量研究。在生长动力学研究中，动力学蒙特卡罗（KMC）模拟成为重要手段。有研究利用三维KMC模型，结合埃里希-舒沃贝尔屏障，引入均匀布置的三角棱镜结构模拟纳米图案化基板，成功演示了镍薄膜从连续生长到各向异性柱状生长的转变过程，并讨论了生长指数与沉积条件的关系。也有学者通过KMC模拟，研究了不同生长参数对镍薄膜生长模式和表面粗糙度的影响，发现沉积速率和衬底温度等参数对薄膜微观结构有显著影响。

在磁特性研究领域，不少研究关注镍及其合金薄膜的磁各向异性、居里温度等性质。有研究通过实验与理论计算相结合，研究了镍合金薄膜中合金成分对自旋转向相变的影响，发现钴的成分对钴镍合金的自旋转向相变有很大作用。还有研究利用变温扫描隧道显微镜（VT-STM）原位实时研究了铁在铜衬底上发生马氏体相变的动力学过程，观察到相变在纳米尺度上的成核和长大过程，揭示了衬底台阶和冷却速度对相变动力学的影响。

然而，当前研究仍存在一些不足。一方面，在生长动力学模拟中，虽然KMC模拟能够在原子尺度上描述薄膜生长过程，但模型中一些物理参数的确定仍存在困难，如原子间相互作用势和跃迁速率等，这些参数的不确定性会影响模拟结果的准确性。另一方面，在磁特性研究中，对于镍及其合金薄膜在复杂环境下的磁性能变化，以及微观结构与磁性能之间的定量关系，还需要进一步深入研究。此外，多组分镍合金薄膜的磁特性研究相对较少，如何通过调控合金成分和微观结构来实现对磁性能的精确调控，仍是有待拓展的研究方向。

1.3研究内容与方法

本文旨在通过数值模拟深入研究3D过渡金属镍及其合金薄膜的生长动力学和磁特性。在生长动力学研究方面，利用动态蒙特卡罗方法，模拟镍及其合金薄膜在不同沉积条件下的生长过程。具体研究不同沉积速率、衬底温度以及原子间相互作用对薄膜生长模式、晶粒尺寸分布、表面粗糙度等微观结构参数的影响。通过系统地改变这些生长参数，建立生长参数与微观结构之间的定量关系，为薄膜生长的实际工艺提供理论指导。

在磁特性研究中，运用随机模拟的蒙特卡罗方法，计算镍及其合金薄膜的磁性能，如磁化曲线、磁滞回线、居里温度等。研究薄膜厚度、合金成分、微观结构等因素对磁性能的影响机制。特别是针对不同镍合金体系，如NiCu合金薄膜和NiCo合金薄膜，分析合金元素的添加如何改变薄膜的磁特性，探索通过调控合金成分来优化磁性能的方法。

通过将生长动力学模拟结果与磁特性计算相结合，深入探讨薄膜微观结构与磁性能之间的内在联系，为开发高性能的镍及其合金薄膜材料提供理论依据和技术支持。

二、理论基础

2.1薄膜生长动态蒙特卡罗方法

动态蒙特卡罗方法是一种基于随机过程的数值模拟技术，其核心原理在于通过对系统中原子的各种可能行为进行随机抽样，从而模拟薄膜生长过程中的原子动力学行为。在薄膜生长模拟中，该方法将薄膜表面视为由一系列离散的格点构成，每个格点代表一个原子吸附位点。