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金刚石散热行业深度：芯片集成化发展，推动材

料应用新蓝海

2026年01月27日

核心逻辑

高功率芯片散热问题亟待解决，金刚石材料具备优异性能有望广泛应用：

?航天航空、电子技术等领域飞速发展,推动芯片级和模块级电子设备向着微型化、多功能化、高功率密度方向发展。在芯片集成度提升及尺寸微缩发展态势下，芯片功能及性能进一步提升强化，但芯片功耗及发热量提升，随服役温度上升半导体元件失效率显著提升，相关研究表明，随着服役温度每上升18℃,半导体元件失效率就提高两到三倍，散热问题影响芯片性能亟待解决。AI芯片散热技术通过直接在芯片或处理器表面移除热量来优化设备性能并延长使用寿命，传统方案主要分为散热材料及散热技术两类，散热材料以热界面材料（TIM）、金属和陶瓷基导热材料为主，在散热技术方面，主要包含风冷、液冷、热管、VC均热板及散热器等多种方案。

?电子封装起到保护芯片和快速散热作用，因此电子封装材料需具备良好的导热性能、力学性能及可加工性能等各项物理性能，保证电子设备的稳定、可靠及安全运行。常见电子封装材料分为陶瓷材料、塑料材料、金属材料及复合材料四类，金刚石热沉材料天然热导率高达2000-2500W/(m.K)，达到铜的4倍、铝的8倍以上，同时其热膨胀系数与半导体芯片核心材料硅与碳化硅高度匹配，热学性能的高度相似确保金刚石热沉在经历上万次温度循环后仍能保持界面稳定，有效避免因热膨胀失配导致的界面脱层问题。

MPCVD法是制备半导体金刚石材料的较优方案：金刚石材料按照结构可分为单晶及多晶金刚石，两类材料在性能表现及应用等层面呈现区别。多晶金刚石多用于需要高导热性、红外透过性及耐磨性领域；单晶金刚石在电子器件可承受大功率、高效率、超高频工作方面展现出独有优势。金刚石合成工艺分为高温高压法和化学气相沉积法，高温高压法适合大规模合成金刚石，化学气相沉积法适合更精细可控的金刚石生长，面向半导体领域的晶圆级金刚石通过化学气相沉积（CVD）制备。在热丝法、MPCVD法及直流等离子体喷射法三类CVD方法中，MPCVD因没有电极污染而被认为是较优方案。

随金刚石散热技术的进一步成熟有望持续推广商业化及规模化应用，根据我们的测算，保守估算下2032年金刚石散热市场规模有望达到97亿元。

相关标的：沃尔德，四方达，国机精工

风险提示：技术开发不及预期；下游客户产品接受及产品验证不及预期；新技术替代风险；市场需求波动风险；原材料成本大幅提升及原材料采购受阻影响生产风险；宏观环境风险；市场竞争加剧风险；汇率波动风险；研究依据的信息更新不及时，未能充分反映行业及公司最新状况的风险。

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目录

1金刚石材料：性能优异的芯片散热材料

2相关标的：沃尔德、四方达、国机精工

3风险提示

高性能高集成芯片散热问题亟待解决

在芯片集成度提升及尺寸微缩发展态势下，芯片功能及性能进一步提升强化，但芯片功耗及发热量提升，随服役温度上升半导体元件失效率显著提升，散热问题影响芯片性能亟待解决。

?航天航空、电子技术等领域飞速发展,推动芯片级和模块级电子设备向着微型化、多功能化、高功率密度方向发展。在民用领域，

部分芯片工作时产生的热流密度高达150W/cm2，机载雷达中数千个阵元的功率密度甚至高达1010W/cm2。同时随着电子产品体积的减小、集成化程度的提高，其单位面积的产热越来越高。相关研究表明，随着服役温度每上升18℃,半导体元件失效率就提高两到三倍，所以设备的散热问题与其性能一样值得关注。

图表1芯片散热可能引起的问题

问题

描述

性能下降

过高的温度会导致芯片性能下降，甚至

出现死机、蓝屏等故障

可靠性降低

高温会加速电子元件的老化，缩短设备

的使用寿命

安全性隐患

极端情况下，过热可能引发火灾等安全

事故

能源浪费

过多的电力消耗不仅增加了运营成本，

还加剧了能源危机

资料来源：半导体行业观察，

图表2芯片的温度云图变化

资料来源：粉体圈，

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传统芯片散热的主要方式

AI芯片散热技术通过直接在芯片或处理器表面移除热量来优化设备性能并延长使用寿命，主要分为散热材料及散热技术两类。

?在散热材料方面，目前主要以热界面材料（TIM）、金属和陶瓷基导热材料为主。

?在散热技术方面，主要包含风冷、液冷、热管、VC均热板及散热器等多种方案。

图表3芯片主要散热方式

芯片散热方式

描述

热界面

材料（TIM）是用于涂敷在散热器件与发热器件之间，降低它们之间接触热阻所使用的材料的总称。由于器件制造公面