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探索提升GaN基倒装焊LED芯片外量子效率的策略与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今能源问题和环境问题日益严峻的背景下，节能和高效照明技术成为了全球关注的焦点。发光二极管（Light-EmittingDiode，LED）作为一种新型的固态照明光源，以其节能、环保、寿命长、响应速度快、体积小等诸多优点，在照明、显示、信号和生命科学等领域得到了广泛的应用。例如，在照明领域，LED灯具逐渐取代传统的白炽灯和荧光灯，大大降低了能源消耗；在显示领域，LED显示屏以其高亮度、高对比度、广视角等优势，广泛应用于户外广告、室内大屏显示等场景；在信号领域，LED被用作交通信号灯、汽车指示灯等，提高了信号的可见性和可靠性；在生命科学领域，LED的特定波长发光可用于生物医学检测、光疗等方面。

目前，LED芯片的主要外延材料是GaN基化合物。GaN具有大的禁带宽度，这使得它能够发射出从紫外到蓝光等不同波长的光；较高的热导率，有助于芯片在工作过程中的散热，提高芯片的稳定性和寿命；以及较高的电子空穴辐射复合效率，有利于提高发光效率。通过将GaN和InN、AlN按不同组分混合，可以灵活地改变材料的禁带宽度，从而实现芯片蓝、绿、紫等不同颜色的发光，满足不同应用场景的需求。

LED芯片常见的结构有正装、倒装焊和垂直结构三种。其中，倒装焊LED芯片结构被认为是实现芯片大功率的一个重要方向。与传统正装芯片相比，倒装焊芯片具有光出射效率高的优势，其光可以直接从与衬底相对的一侧出射，减少了因芯片内部结构对光的吸收和散射，从而提高了光的提取效率；散热性能也较好，因为倒装焊结构可以使芯片的有源区与热沉更接近，热量能够更有效地散发出去，降低芯片的工作温度，提高芯片的可靠性和寿命。相对于垂直结构，倒装焊芯片的制作过程相对简单，成品率高，这使得它在大规模生产和应用中具有成本优势。

随着社会对LED发光亮度、发光质量要求的不断提高，对LED芯片的电光转换能力和稳定性提出了更高的要求。外量子效率（ExternalQuantumEfficiency，EQE）是综合衡量LED芯片电光转化效能的重要参数之一，它表示注入到LED芯片中的电子-空穴对最终转化为出射光子的比例。随着LED芯片向大功率方向发展，提高芯片外量子效率变得势在必行。一方面，提高外量子效率可以直接提升LED的发光效率，降低能耗，符合当前节能环保的发展趋势；另一方面，更高的外量子效率可以使LED在相同的输入功率下发出更亮的光，满足高亮度照明和显示等应用的需求；此外，外量子效率的提高还有助于改善LED的颜色均匀性和稳定性，提高产品的质量和可靠性。因此，研究提高GaN基倒装焊LED芯片外量子效率的方法具有重要的理论意义和实际应用价值，对于推动LED技术的发展和应用，实现节能减排目标，具有重要的现实意义。

1.2国内外研究现状

在国外，众多科研机构和企业在提高GaN基倒装焊LED芯片外量子效率方面进行了大量深入的研究，并取得了一系列显著成果。例如，美国的Cree公司通过优化芯片的结构设计，采用新型的衬底材料和电极结构，有效地提高了光提取效率和电流分布均匀性，从而显著提升了外量子效率。他们研发的倒装焊LED芯片在大电流注入下仍能保持较高的外量子效率，在照明和显示领域具有很强的竞争力。日本的Nichia公司则专注于材料生长工艺的改进，通过精确控制GaN材料的生长参数，减少材料中的缺陷和杂质，提高了内量子效率，进而提高了外量子效率。他们在蓝光LED芯片的研发上处于世界领先地位，其产品广泛应用于各种照明和显示设备中。韩国的三星公司在LED芯片的封装技术方面取得了突破，采用新型的封装材料和结构，减少了光在封装过程中的损失，提高了外量子效率。他们的倒装焊LED芯片在显示领域得到了广泛应用，推动了LED显示技术的发展。

在国内，近年来也有许多高校和科研机构积极投身于这一领域的研究，取得了不少有价值的成果。例如，清华大学的研究团队通过对芯片的光学和电学性能进行综合优化，提出了一种新型的倒装焊LED芯片结构，该结构结合了图形化衬底和透明导电电极等技术，有效地提高了光提取效率和电流扩展能力，使外量子效率得到了显著提升。复旦大学的科研人员则在材料掺杂和表面处理技术方面进行了深入研究，通过优化掺杂工艺和表面处理方法，改善了芯片的电学性能和光学性能，从而提高了外量子效率。此外，国内一些企业也加大了在LED芯片研发方面的投入，与高校和科研机构合作，共同推动技术创新。如三安光电通过引进先进的生产设备和技术，不断优化芯片的生产工艺，提高了产品的性能和质量，其生产的GaN基倒装焊LED芯片在市场上具有较高的竞