CN109787084A 一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109787084A布日2019.05.21

(21)申请号201910201556.X

(22)申请日2019.03.18

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市卫星路7089

(72)发明人石琳琳房俊宇张贺马晓辉邹永刚李卫岩金亮徐英添徐莉

(74)专利代理机构北京市诚辉律师事务所

11430

代理人范盈

(51)Int.CI.

H01S5/024(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法

(57)摘要

CN109787084A本发明属于激光器技术领域，特别是涉及一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法。一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构，包括基础热沉，所述基础热沉上设置辅助热沉，所述辅助热沉上设置过渡热沉，所述过渡热沉上设置半导体激光器阵列。本发明解决了现有高功率半导体激光器阵列封装的热传导差的

CN109787084A

CN109787084A权利要求书1/1页

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1.一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：

包括基础热沉，所述基础热沉上设置辅助热沉，所述辅助热沉上设置过渡热沉，所述过渡热沉上设置半导体激光器阵列(2)。

2.根据权利要求1所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述辅助热沉为石墨-铜复合热沉(1)。

3.根据权利要求2所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述石墨-铜复合热沉(1)包括上层、中间层和下层，所述中间层为石墨片(6),上层和下层为铜，所述石墨片(6)上设有通孔(5),通孔(5)的数量为多个，通孔(5)内均设有铜柱，铜柱分别与上层、下层连接。

4.根据权利要求1至3任一所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述基础热沉为铜热沉(4);所述过渡热沉为氮化铝热沉(3)。

5.根据权利要求4所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述基础热沉与辅助热沉间通过金锡焊料焊接；所述辅助热沉与过渡热沉间通过金锡焊料焊接。

6.根据权利要求5所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述基础热沉、辅助热沉后表面置于冷却面；所述基础热沉的下表面置于冷却面。

7.一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制作石墨-铜复合热沉

1.1)提供石墨片(6);

1.2)在石墨片(6)上加工通孔(5);

1.3)采用电化学方法对石墨片(6)进行金属化处理后成为石墨-铜复合热沉(1);

2)提供铜热沉(4),将石墨-铜复合热沉(1)焊接在铜热沉(4)上；

3)提供氮化铝热沉(3),将氮化铝热沉(3)焊接在石墨-铜复合热沉(1)上；

4)提供半导体激光器阵列(2),将半导体激光器阵列(2)焊接在氮化铝热沉(3)上。

8.根据权利要求7所述的一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构的制作方法，其特征在于：

所述步骤1.2)中，采用半径为0.2mm的钻头或激光钻孔在石墨片(6)上加工通孔(5)。

9.根据权利要求7或8所述的一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构的制作方法，其特征在于：

所述步骤1.3)中，采用电化学方法对石墨片(6)进行金属化处理具体为：首先，用乙醇清洗石墨片(6),以硫酸溶液为基础镀液，以含磷铜板为阳极，石墨片(6)为阴极，在电流密度为2Adm?2的条件下，将Cu镀在石墨片(6)的两侧及微孔内部内，所述硫酸溶液为0.32MCuSO4*5H?0、0.30MH?SO4制成的混合液。

CN109787084A说明书1/4页

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一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法

技术领域

[0001]本发明属于激光器技术领域，特别是涉及一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法。

背景技术

[0002]半导体激光器，又称激光二极管(LaserDiode),系指以直接带隙的Ⅲ-V族、IV-VI族、Ⅱ-VI族化合物及其固溶体材料为工作物质的一类激光器，其自上世纪六十年代初