CN109786441A 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109786441A布日2019.05.21

(21)申请号201910085962.4

(22)申请日2019.01.29

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人于洪宇曾凡明

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人孟金喆

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN109786441A本发明实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。其中高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；设置于p型栅极层背离衬底一侧依次层叠的p型表面盖层以及栅极；其中，p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度渐变或阶跃跳变，且最大掺杂浓度小于p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。本发明实施例的技术方案，有效提高器件的栅极开启电压、栅极耐击穿电压、栅极输

CN109786441A

CN109786441A权利要求书1/2页

2

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；

设置于所述外延层背离所述衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；

设置于所述p型栅极层背离所述衬底一侧依次层叠的p型表面盖层以及栅极；

其中，所述p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度渐变或阶跃跳变，且最大掺杂浓度小于所述p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述p型表面盖层和所述p型栅极层的掺杂物包括二茂镁。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述p型栅极层的掺杂物的浓度为1×101?cm3~9×101?cm3;

所述p型表面盖层的掺杂物的浓度为1×101?cm3~9×101?cm3。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述p型表面盖层包括p型氮化镓材料，所述p型表面盖层的厚度为10nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述应力缓冲层包括氮化镓材料，所述应力缓冲层的厚度为3μm～6μm;

所述外延层包括铝镓氮材料，所述外延层的厚度为10nm～30nm;

所述p型栅极层包括p型氮化镓材料，所述p型栅极层的厚度为60nm～200nm。

6.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧依次形成应力缓冲层、外延层、p型栅极层以及p型表面盖层，其中所述p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度渐变或阶跃跳变，且最大掺杂浓度小于所述p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度；

保留栅极区域的所述p型表面盖层和所述p型栅极层，去除栅极区域之外的所述p型表面盖层和所述p型栅极层；

形成栅极、源极以及漏极。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底一侧形成p型表面盖层包括：

通过在不同时间段控制掺杂物通入的流量不同，以生长出掺杂浓度渐变或阶跃跳变的p型表面盖层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，通过在不同时间段控制掺杂物通入的流量不同，以生长出掺杂浓度渐变的p型表面盖层，包括：

通过在不同时间段控制掺杂物通入的流量逐渐降低或逐渐增加，以生长出掺杂浓度渐变的所述p型表面盖层。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，通过在不同时间段控制掺杂物通入的流量不同，以生长出掺杂浓度阶跃跳变的p型表面盖层，包括：

通过在至少一个时间段控制掺杂物通入的流量为第一流量，其他时间段控制掺杂物通入的流量为第二流量，其中，第一流量大于第二流量，掺杂物通入的流量为第二流量的时间段至少包括第一个时间段和最后一个时间段。

3

CN109786441A权利要求书2/2页

10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，采用金属有机化合物化学气相沉积