CN109787084B 一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109787084B公告日2020.07.17

(21)申请号201910201556.X

(22)申请日2019.03.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109787084A

(43)申请公布日2019.05.21

(73)专利权人长春理工大学

地址130022吉林省长春市卫星路7089

(72)发明人石琳琳房俊宇张贺马晓辉邹永刚李卫岩金亮徐英添徐莉

(74)专利代理机构北京市诚辉律师事务所

11430

代理人范盈

(51)Int.CI.

H01S5/024(2006.01)

审查员禹伶洁

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法

(57)摘要

CN109787084B本发明属于激光器技术领域，特别是涉及一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法。一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构，包括基础热沉，所述基础热沉上设置辅助热沉，所述辅助热沉上设置过渡热沉，所述过渡热沉上设置半导体激光器阵列。本发明解决了现有高功率半导体激光器阵列封装的热传导差的

CN109787084B

CN109787084B权利要求书1/1页

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1.一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：

包括基础热沉，所述基础热沉上设置辅助热沉，所述辅助热沉上设置过渡热沉，所述过渡热沉上设置半导体激光器阵列(2);

所述辅助热沉为石墨-铜复合热沉(1);

所述石墨-铜复合热沉(1)包括上层、中间层和下层，所述中间层为石墨片(6),上层和下层为铜，所述石墨片(6)上设有通孔(5),通孔(5)的数量为多个，通孔(5)内均设有铜柱，铜柱分别与上层、下层连接；

所述基础热沉为铜热沉(4);所述过渡热沉为氮化铝热沉(3)。

2.根据权利要求1所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述基础热沉与辅助热沉间通过金锡焊料焊接；所述辅助热沉与过渡热沉间通过金锡焊料焊接。

3.根据权利要求2所述的高效散热的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述基础热沉、辅助热沉后表面置于冷却面；所述基础热沉的下表面置于冷却面。

4.一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制作石墨-铜复合热沉

1.1)提供石墨片(6);

1.2)在石墨片(6)上加工通孔(5);

1.3)采用电化学方法对石墨片(6)进行金属化处理后成为石墨-铜复合热沉(1);

2)提供铜热沉(4),将石墨-铜复合热沉(1)焊接在铜热沉(4)上；

3)提供氮化铝热沉(3),将氮化铝热沉(3)焊接在石墨-铜复合热沉(1)上；

4)提供半导体激光器阵列(2),将半导体激光器阵列(2)焊接在氮化铝热沉(3)上。

5.根据权利要求4所述的一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构的制作方法，其特征在于：

所述步骤1.2)中，采用半径为0.2mm的钻头或激光钻孔在石墨片(6)上加工通孔(5)。

6.根据权利要求4或5所述的一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构的制作方法，其特征在于：

所述步骤1.3)中，采用电化学方法对石墨片(6)进行金属化处理具体为：首先，用乙醇清洗石墨片(6),以硫酸溶液为基础镀液，以含磷铜板为阳极，石墨片(6)为阴极，在电流密度为2Adm-2的条件下，将Cu镀在石墨片(6)的两侧及微孔内部内，所述硫酸溶液为0.32MCuSO4*5H?0、0.30MH?SO4制成的混合液。

CN109787084B说明书1/4页

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一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法

技术领域

[0001]本发明属于激光器技术领域，特别是涉及一种高效散热的半导体激光器阵列封装结构及制作方法。

背景技术

[0002]半导体激光器，又称激光二极管(LaserDiode),系指以直接带隙的Ⅲ-V族、IV-VI族、Ⅱ-VI族化合物及其固溶体材料为工作物质的一类激光器，其自上世纪六十年代初诞生之后，便以体积小、重量轻、电光转换效率高、寿命长、可靠性高等传统激光器无法比拟的优势而逐渐发展成为现代光电子器件