CN109300786B8 瞬态电压抑制器及其制作方法 （电子科技大学中山学院）.docxVIP

(12)发明专利(扉页更正)(10)授权公告号

(12)发明专利(扉页更正)

(10)授权公告号CN109300786B8

(48)更正文献出版日2021.12.24(45)授权公告日2021.11.30

(21)申请号201811167811.5

(22)申请日2018.10.08

(73)专利权人电子科技大学中山学院

地址528400广东省中山市石岐区学院路1

号

(72)发明人于广程羽佳

其他发明人请求不公开姓名

(74)专利代理机构北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙)11825

代理人黄照

(51)Int.CI.

HO1L21/329(2006.01)

HO1L29/861(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

(56)对比文件

CN105990320A,2016.10.05

CN103840013A,2014.06.04

CN107689343A,2018.02.13

US2016293591A1,2016.10.06CN107316864A,2017.11.03

审查员周天微

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

50

50

(57)摘要

CN109300786B8本发明公开一种瞬态电压抑制器及其制作方法，该制作方法通过刻蚀第一导电类型的衬底并形成位于所述衬底内的正向沟槽；在所述正向沟槽内填充介质层；从所述衬底的侧表面刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成延伸至所述介质层的侧向沟槽；在所述侧向沟槽内生长第二导电类型的外延层；在所述衬底的上表面和下表面分别覆盖第一金属层和第二金属层，从而形成瞬态电压抑制器。本发明所述制作方法制备得到的瞬态电压抑制器具有双向保护功能，且使用该方法制

CN109300786B8