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AlGaN日盲雪崩光电二极管分离吸收与倍增层结构的模拟制备与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技迅猛发展的时代，紫外探测技术作为一个关键领域，正以其独特的优势和广泛的应用前景，吸引着众多科研人员的目光。特别是日盲紫外探测，在200-280nm的日盲紫外波段，由于太阳辐射在地球大气层中被强烈吸收，使得该波段在地表的背景辐射噪声极低，这一特性为日盲紫外探测技术赋予了天然的优势，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在民用领域，日盲紫外探测技术已成为电网安全监测的得力助手。电力设备的局部电晕放电会引发电力损耗、设备损坏等严重问题，而电晕放电产生的光谱主要集中在紫外波段，通过日盲紫外探测器，能够敏锐地捕捉到这些微弱的紫外信号，实现对设备早期隐患的精准排查，有效保障电网的安全稳定运行。在海上搜救行动中，日盲紫外探测器可以探测到遇难船只或人员发出的紫外信号，大大提高搜救的效率和成功率，为生命救援争取宝贵时间。在医学成像领域，它能够提供独特的生物组织信息，有助于疾病的早期诊断和治疗方案的制定。在环境与生化检测方面，日盲紫外探测技术可以检测环境中的有害气体、生物分子等，为环境保护和生物安全提供重要的监测手段。

在国防领域，日盲紫外波段更是发挥着不可或缺的关键作用。在导弹识别跟踪任务中，导弹尾气流中未充分燃尽的固体燃料在化学反应后会释放出紫外线，日盲紫外探测器能够迅速捕捉到这些紫外线信号，实现对导弹尾焰的精确检测，为国防预警提供及时准确的信息，有效提升国家的防御能力。在舰载通讯中，日盲紫外波段的通信具有抗干扰能力强、保密性好等优点，能够满足舰艇在复杂电磁环境下的通信需求。在深空探测中，日盲紫外探测器可以帮助科学家探测宇宙中的紫外线辐射源，研究天体的物理性质和演化过程，为人类探索宇宙奥秘提供重要的数据支持。

为了满足各领域对高性能日盲紫外探测器的迫切需求，AlGaN日盲雪崩光电二极管（APD）应运而生，成为研究的焦点。AlGaN材料作为一种重要的宽禁带半导体材料，具有诸多优异的特性。其带隙可通过调整Al组分在3.4eV-6.2eV范围内灵活变化，能够实现对200-365nm紫外波段的有效探测，尤其是在日盲紫外波段表现出色。同时，AlGaN材料还具有击穿电场高、热导率大、饱和电子迁移率高等特点，这些特性使得基于AlGaN材料制备的日盲雪崩光电二极管在日盲紫外探测领域具有独特的优势。

雪崩光电二极管（APD）的工作原理基于雪崩倍增效应，当在APD两端施加足够高的反向偏压时，光生载流子在强电场作用下获得足够的能量，与晶格原子发生碰撞，产生新的电子-空穴对，这些新产生的载流子又会继续与其他原子碰撞，引发连锁反应，从而实现光电流的雪崩倍增，大大提高了探测器的灵敏度。然而，传统结构的AlGaN日盲APD在实际应用中仍面临一些挑战，如暗电流较大、噪声较高、雪崩击穿电压不理想等问题，这些问题严重制约了器件性能的进一步提升。

为了克服这些问题，研究分离吸收层与倍增层（SeparateAbsorptionandMultiplication，SAM）结构的AlGaN日盲APD具有至关重要的意义。在SAM结构中，光子吸收过程和碰撞电离过程相互独立，这一特性带来了诸多优势。首先，它能够有效减小吸收区的隧穿暗电流成分，降低噪声水平，提高探测器的信噪比。其次，通过实现单载流子注入倍增区，可以显著降低倍增噪声，进一步提升探测器的性能。此外，优化SAM结构的参数，如吸收层和倍增层的厚度、材料组分、掺杂浓度等，可以有效降低雪崩击穿电压，提高器件的响应速度和工作效率，使其能够更好地满足各领域对高性能日盲紫外探测器的严格要求。

本研究旨在深入探究分离吸收层与倍增层结构的AlGaN日盲雪崩光电二极管，通过理论模拟和实验制备相结合的方法，系统研究该结构的工作原理、性能影响因素以及制备工艺，为提高AlGaN日盲APD的性能提供理论依据和技术支持，推动日盲紫外探测技术在民用和国防领域的广泛应用。

1.2国内外研究现状

国内外对AlGaN日盲雪崩光电二极管的研究一直是紫外探测领域的热点，众多科研团队在此投入了大量精力，取得了一系列显著进展。

在国外，美国、日本、德国等国家的科研机构和高校在该领域处于领先地位。美国的一些研究团队通过优化外延生长工艺，成功降低了AlGaN材料中的缺陷密度，从而有效减少了暗电流，提高了器件的性能。他们利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，精确控制生长参数，实现了高质量AlGaN薄膜的生长。日本的科研人员则专注于器件结构的创新设计，提出了多种新型的AlGaN日盲APD结构，如采用极化工程增强倍增区电场，有效降低了雪崩击穿电压，提高了