CN109873296A 一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109873296A

(43)申请公布日2019.06.11

(21)申请号201910234625.7

(22)申请日2019.03.26

(66)本国优先权数据

201910084399.92019.01.29CN

(71)申请人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

北京邮电大学

(72)发明人刘凯罗俊伟位祺黄永清

段晓峰王琦任晓敏蔡世伟

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002

代理人王庆龙苗晓静

(51)Int.CI.

H01S5/183(2006.01)

H01S5/343(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法

(57)摘要

CN109873296A本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少

CN109873296A

CN109873296A权利要求书1/2页

2

1.一种垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括在第二衬底上依次层叠的非出光面反射镜、第二包层、量子阱层或量子点层、第一包层、电流限制层、出光面反射镜和欧姆接触层；

所述非出光面反射镜包括第二衬底上依次层叠的金属反射镜层和第二多层材料膜反射镜层；所述出光面反射镜包括在所述电流限制层上层叠的第一多层材料膜反射镜层；且所述第二多层材料膜反射镜层的对数少于所述第一多层材料膜反射镜层的对数，所述第二多层材料膜反射镜层的反射率低于所述第一多层材料膜反射镜层的反射率；所述第一多层材料膜反射镜层和/或所述第二多层材料膜反射镜层为插入相位优化层的多层材料膜反射镜结构。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述第一多层材料膜反射镜层和所述第二多层材料膜反射镜层的多层材料为介质膜或半导体材料膜。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述第二衬底上背离所述金属反射镜层的一侧还设有第二电极；所述欧姆接触层上还设有第一电极。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述量子阱或量子点层材料为AlGaAs、GaAs、GaN、InGaN、InGaAs、InGaAsP、InGaAsN或InGaAlAs。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述金属反射镜层为高反射率金属材料，所述高反射率金属材料包括Au、Al和Ag,以及Au、A1和Ag的合金材料。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，所述电流限制层包括Al?03材料层区域以及位于Al?03材料层区域中央的AlGaAs材料层区域或InAlGaAs材料层区域。

7.一种垂直腔面发射激光器芯片制作方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上依次生长欧姆接触层、出光面反射镜、电流限制层、第一包层、量子阱层或量子点层、第二包层和非出光面反射镜；其中，所述非出光面反射镜包括第二包层上依次层叠的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层；所述出光面反射镜包括在所述欧姆接触层上层叠的第一多层材料膜反射镜层；且所述第二多层材料膜反射镜层的对数少于所述第一多层材料膜反射镜层的对数，所述第二多层材料膜反射镜层的反射率低于所述第一多层材料膜反射镜层的反射率；所述第一多层材料膜反射镜层和/或所述第二多层材料膜反射镜层为插入相位优化层的多层材料膜反射镜结构；

将所述金属反射镜层键合至第二衬底上，去除所述第一衬底；刻蚀所述欧姆接触层、第一多层材料膜反射镜层、电流限制层、第一包层、量子阱层或量子点层、第二包层，以曝露出所述第二多层材料膜反射镜层。

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器芯片制作方法，其特征在于，还包括：

在所述欧姆接触层背离所述第一多层材料膜反射镜层的