宣贯培训(2026年)《GBT 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》.pptxVIP

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目录

一、深度剖析GB/T6617-2009标准出台背景与时代意义，专家视角解读其对半导体产业高质量发展的核心支柱作用

二、从宏观原理到微观探针：以专家视角层层解构扩展电阻法的科学基石与物理模型，探寻测量本质

三、权威拆解标准核心术语与定义，深度厘清电阻率、扩展电阻、探针力等关键概念的精准内涵与外延

四、前瞻性研判半导体材料检测趋势，深度剖析标准中测试环境与样品制备要求的严谨性与未来适应性

五、核心仪器设备深度全解析：专家视角揭秘标准对探针系统、测试平台与测量单元的严苛技术要求与选型指导

六、步步为营，专家带您沉浸式演练标准测试流程：从校准到测量的全链条深度实操指南与风险规避

七、