CN110002395A 一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法 （北京盛通恒瑞科贸有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110002395A

(43)申请公布日2019.07.12

(21)申请号201910286325.3

(22)申请日2019.04.10

(71)申请人北京盛通恒瑞科贸有限公司

地址101200北京市平谷区大华山镇大华

山大街269号

(72)发明人辛胜男陈浩

(74)专利代理机构广东君龙律师事务所44470代理人丁建春朱鹏

(51)Int.CI.

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

GO1D5/16(2006.01)

权利要求书3页说明书8页附图7页

(54)发明名称

一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法

(57)摘要

CN110002395A本申请提供一种压阻式双轴运动传感器及其制作方法，该压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于第二单晶硅层靠近第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于第二单晶硅层上，且形成于第一刻蚀槽和第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于第二单晶硅层背离第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于第二单晶硅层和掺杂层上；焊接层，形成第二单晶硅层和掺杂层上，且形成于第二氧化硅层中；隔离槽，形成于第二刻蚀槽远离质量块的一侧；其中隔离槽与质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀

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CN110002395A权利要求书1/3页

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1.一种压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器包括：

SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层，所述第一氧化硅层设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间；

第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于所述第二单晶硅层靠近所述第一氧化硅层的一侧；

质量块，形成于所述第二单晶硅层上，且形成于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间；

掺杂层，形成于所述第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；

第二氧化硅层，形成于所述第二单晶硅层和所述掺杂层上；

焊接层，形成所述第二单晶硅层和所述掺杂层上，且形成于所述第二氧化硅层中；

隔离槽，形成于所述第二刻蚀槽远离所述质量块的一侧；其中所述隔离槽与所述质量块、所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽同时形成。

2.根据权利要求1所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器还包括：

第一悬臂梁和第二悬臂梁，形成于所述质量块的两侧，所述第一悬臂梁与所述第一刻蚀槽相匹配，所述第二悬臂梁与所述第二刻蚀槽相匹配；所述掺杂层还设置于所述第一悬臂梁远离所述质量块的一侧；

第一盖板，所述第一盖板键合封装于所述第一单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；

第二盖板，所述第二盖板键合封装于所述第二氧化硅层背离所述第二单晶硅层的一侧；所述焊接层进一步裸露于所述第二盖板的一端。

3.一种压阻式双轴运动传感器的制作方法，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，所述SOI硅片包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层，其中所述第一氧化硅层设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间；所述方法包括：

在所述第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧设置掺杂层；

在所述第二单晶硅层和所述掺杂层上设置第二氧化硅层；

在所述第二单晶硅层和所述掺杂层上以及所述第二氧化硅层中设置焊接层；

在所述第二单晶硅层靠近所述第一氧化硅层的一侧上同时设置质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和隔离槽，所述质量块形成于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间，所述隔离槽设置于所述第二刻蚀槽远离所述质量块的一侧。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧设置掺杂层的步骤包括：

在所述第二单晶硅层上进行热氧化处理得到第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上设置光刻胶，进行第一次光刻处理；

在所述第二单晶硅层上注入第一浓度的硼离子，得到轻掺杂层；

在所述第一阻挡层上进行去除光刻胶处理和第一次退火处理；

去除第一阻挡层；

进行第一次氧化处理得到第二阻挡层；

在所述第二阻挡层上设置光刻胶，进行第二次光刻处理；

在所述第二单晶硅层和所述轻掺杂层上注入第二浓度的硼离子，得到重掺杂层；所述

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