基于门替换的集成电路抗NBTI老化技术：原理、应用与展望.docx

基于门替换的集成电路抗NBTI老化技术：原理、应用与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的进程中，集成电路作为核心部件，广泛应用于电子设备、通讯设备、计算机设备等众多领域，已然成为推动现代科技进步的关键力量。随着集成电路制造工艺的持续进步，器件尺寸不断缩小，集成度日益提高，电路规模愈发庞大。然而，这也使得集成电路在长时间工作时的稳定性问题逐渐凸显，其中负偏置温度不稳定性（NegativeBiasTemperatureInstability，NBTI）效应引发的老化问题，已成为影响集成电路可靠性和使用寿命的重要因素。

NBTI效应主要发生在PMOS晶体管中