基于谱元法的深亚微米半导体器件瞬态电热特性解析与应用.docxVIP

基于谱元法的深亚微米半导体器件瞬态电热特性解析与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体器件作为现代电子系统的核心组成部分，其性能和尺寸成为了推动电子技术进步的关键因素。深亚微米半导体器件以其高集成度、低功耗和高速运行等优势，在计算机、通信、人工智能等领域得到了广泛应用。自20世纪中叶晶体管发明以来，半导体器件经历了从微米到深亚微米，乃至纳米尺度的不断演进。特别是近年来，随着摩尔定律的持续推进，深亚微米制程技术不断突破，芯片上能够集成的晶体管数量呈指数级增长。根据国际半导体技术路线图（ITRS）的预测，未来深亚微米半导体器件的尺寸将继续缩小，性能将进一步提升。