HfO₂薄膜淀积技术的多维度剖析与特性研究.docx

HfO?薄膜淀积技术的多维度剖析与特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子科技飞速发展的浪潮中，集成电路技术不断追求更高的性能、更小的尺寸以及更低的功耗。作为其中关键的材料之一，HfO?薄膜凭借其独特的高介电常数特性，在集成电路领域占据着举足轻重的地位。随着芯片制造工艺进入纳米尺度，传统的SiO?栅介质由于其较低的介电常数，在减小栅极电容漏电方面面临着巨大挑战。而HfO?薄膜的介电常数高达20-25，是SiO?的数倍，能够有效降低栅极漏电流，提高晶体管的性能和集成度，为集成电路的进一步发展提供了可能。在22nm及以下技术节点的CMOS器件中，HfO?基高κ