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频谱分析仪IdB增益压缩点概述及测试

半导体都件是现代电子工业中十分耀眼的明星，近几十年到了长足的发展，凭借诸多

优势，已广泛应用于控制、转换、放大、运算等功能电路，一直以来备受人们的青睐。爱它

就要接受它的缺点，任何事物都有自己的缺点，半导体器件也不例外。对于本文所涉及的射

频放大器等有源器件，非线性就是其缺点之%

非线性是PA、LNA等射频有源器件绕不开的话题，虽然不可避免，但仍然希望尽量保持

在比较低的水平，以降低对系统的影响。衡量非线性特性的参数较多，其中IdB增益压缩点

通常是必测的项目。非线性是如何产生的，为什么会引起增益压缩，如何测试IdB增益压缩

点，这将是下文要重点介绍的内容。

1.非线性是如何产生的？

半导体/件之所以到广泛的应用，原因之一就是能够被“控制”，为人们所用。对于

一个基本的晶体管，以场效应管为例,通过控制栅极的供电便可以控制晶体管的导通与关断，

可以控制漏源之间电流的大小。晶体管可用于设计射频放大器，晶体管转移特性曲线的斜率

跨（导）在一定程度上决定了放大器的增益。然而，晶体管的转移特性曲线并非是线性的，

这意味着放大器的增益也不是恒定的。

图1.晶体管DC特性曲线及信号放大示意图

以共源极放大器为例，栅极作为交流信号输入端口，放大后的信号由漏极输出。当设计

好直流工作点Q时，射频信号会叠加在栅极的工作点电压上，然后经过放大输出。图1给出

了晶体管典型的转移和输出特性曲线以及交流信号被放大的过程示意图。

当射频输入信号比较小时，如果直流工作点选择合适，则映射到转移特性曲线上的区

域接近于线性，可以近似认为信号是线性放大的。随着射频信号的功率不断增大，映射到转

移特性曲线上的区域逐渐呈现为非线性，此时放大的波形已与输入信号有明显不同，失真越

来越明显。这种失真并不是波形整体放大或缩小这种线性失真，而是非线性的失真。

以图1为例，虑一种极端的情况：假设已经选定直流工作点，当输入信号增大到使得

栅源电压Vgs在部分时刻低丁•导通阈值电压时，在这些时刻晶体管就会关闭，当然也就没有

输出波形，因此输出波形会严重失真，这也意味着放大器已经处于严重的非线性工作状态！

如果直流工作点选择得合适，放大器可能在很宽的输入功率范围内都不会存在明显的非

线性失真：而如果选择得不合适，比如靠近导通阈值电压，那么即使输入信号较小，也可能

会存在明显的非线性失真，

说到这，影响放大器线性度的因素主要包括：非线性的转移特性，直流工作点的选择以

及输入信号的强弱。

半导体器件的非线性失真机理可能远比上述介绍复杂，但上述三个因素至少是其中部分

原因，这也让一直将非线性挂在嘴边的射频工程师向“知其然，知其所以然”的目标乂迈进

了一步。

非线性特性并不是“一无是处”，对于放大器而言确实是有害的，但是有些器件就是要

利用这种特性实现特定的功能，比如乘法器、混频器、倍频器等，关键视具体应用而定。

2.什么是IdB增益压缩点？

通常可以将非线性电珞的输出信号进行泰勒(Taylor)级数展开，更具体地讲，应该是

麦克劳林(Maclaurin)级数展开：

%小£)=Co+qv(t)+c4(t)+C3*⑴+…+金哈⑴

fn2

式中，Vin⑴和心分别为输入和输出信号，Q为级数展开常系数。

对于放大器，当馈入单频点信号时，其输出特乂是怎样的呢？

令Vin(t)=VoCOS«flt,代入上式可得

=Co+Ci%COS30t+23

CV^COSa)t+CV^COS(Dt+…+品咐COS”30t