CN110441929A 基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110441929A

(43)申请公布日2019.11.12

(21)申请号201910750647.9

(22)申请日2019.08.14

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号上

海大学

(72)发明人林贤金钻明马国宏

(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理

有限公司11401代理人杨采良

(51)Int.CI.

GO2F1/09(2006.01)

GO2F1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器及其制作方法

(57)摘要

本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹发射器及其制作方法，基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器从下往上依次为：基片衬底、金属层

CN110441929AI、铁磁层、金属层II、覆盖层；所述基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层均通过原子级别的生长方式结合在一起。本发明利用物理或化学的方法在基片衬底上蒸镀多层复合膜，利用微纳加工技术制备阵列结构；本发明发射器所发射的电磁波频率在0.1THz～10THz范围，发射太赫兹波振幅、频宽、中心频率、波形可调谐；本发明

CN110441929A

CN110441929A权利要求书1/1页

2

1.一种基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，所述基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器从下往上依次为：

基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层；所述基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层均通过原子级别的生长方式结合在一起。

2.如权利要求1所述基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，基片衬底为高阻硅片、石英片、氧化镁或蓝宝石的一种。

3.如权利要求1所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，金属层I、金属层II均为具有强自旋-轨道耦合效应的非磁性金属，或者具有强自旋-轨道耦合效应的磁性金属。

4.如权利要求1所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，金属层I为：Au,Pd,Cr,Ta,W,Pt,Ru中的一种；

金属层II为Au,Pd,Cr,Ta,W,Pt,Ru中的一种。

5.如权利要求4所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，金属层I、金属层IⅡ厚度均为1～10nm。

6.如权利要求1所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，铁磁层具有强的磁性；

铁磁层为NdFeB、NiFe、CoPt、Co?MnSn、CoFe中的一种；

铁磁层厚度为1～10nm。

7.如权利要求1所述基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，覆盖层为金属氧化物或者惰性金属为Mg0,Au,Pt中的一种；

覆盖层厚度为2～4nm。

8.如权利要求1所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器为具有周期微纳结构和非周期微纳结构；

所述的周期结构包括条状光栅结构、矩形结构、圆结构、十字架结构；

所述的周期结构单元尺寸为2μm～500μm;

所述非周期微纳结构尺寸范围为2μm～500μm。

9.一种如权利要求1所述基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器的制作方法，其特征在于，所述基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器的制作方法包括以下步骤：

步骤一，选取合适的材料，基片衬底满足对太赫兹波的高透过率；

步骤二，生长太赫兹波发射磁性复合膜。

10.如权利要求9所述的基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器的制作方法，其特征在于，

步骤一中，基片衬底为高阻硅片、石英片、氧化镁和蓝宝石；

步骤二生长太赫兹发射磁性复合膜中，磁性膜层具有强的磁性，可选用NdFeB、NiFe、CoPt、Co?MnSn、CoFe;

应用的非磁性金属层具有强自旋-轨道耦合效应的金属，为Au,Pd,Cr,Ta,W,Pt,Ru;

制备周期性微纳结构和非周期性微纳结构中，依据对发射器的需求进行设计加工，加工方法包括激光直写加工法、离子束刻蚀、光刻工艺方法。

CN110441929A说明