CN110444634A 一种p型单晶perc双面电池及其制作方法 （中建材浚鑫科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110444634A

(43)申请公布日2019.11.12

(21)申请号201910729295.9

(22)申请日2019.08.08

(71)申请人中建材浚鑫科技有限公司

地址214400江苏省无锡市江阴市申港街

道镇澄路1011号

(72)发明人康海涛郭万武吴中亚

(74)专利代理机构南京苏科专利代理有限责任公司32102

代理人张霞

(51)Int.CI.

H01L31/18(2006.01)

H01L31/048(2014.01)

H01L31/068(2012.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种P型单晶PERC双面电池及其制作方法

(57)摘要

CN110444634A本发明提供了一种P型单晶PERC双面电池及其制作方法，包括如下步骤：步骤S1,表面制绒；步骤S2,扩散形成PN结；步骤S3,周边刻蚀及背面抛光；步骤S4,二氧化硅层制备；步骤S5,背面叠层膜制备；步骤S6,正面氮氧化硅层制备；步骤S7,背面激光开槽；步骤S8,正、背面电极制备。经本发明制作方法制备的P型单晶PERC双面电池，正面采用二氧化硅/氮氧化硅膜层结构代替常规氮化硅膜层，折射率可调控，可有效解决正面PID问题；背面采用Al0x/SixOyNz/SixCyNz叠层膜，具有很好的化学稳定性和很强的抗杂质扩散和水汽渗透能力；Si0xNy/SixCyNz膜层相比常规SiNx膜层，可有效解决背面PID问题，此外，Si0xNy/SixCyNz膜层的折射率可根据不同反应

CN110444634A

S1

S2

S3

S4

S5

S6

S7

S8

表面制绒

扩散形成PN结

周边刻蚀及背面抛光

二氧化硅层制备

背面叠层膜制备

正面氮氧化硅层制备

背面激光开槽

正、背面电极制备

CN110444634A权利要求书1/1页

2

1.一种P型单晶PERC双面电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1,表面制绒：硅片在碱溶液下经过各向异性腐蚀在表面形成金字塔状形貌，以降低表面反射，反射率：11-12%;

步骤S2,扩散形成PN结：采用液态磷源法通过高温扩散，在P型硅片中掺入磷原子，形成PN结，方阻：110-120欧姆；再采用激光掺杂方法在正面电极区域形成重掺区，方阻为：90-95欧姆；

步骤S3,周边刻蚀及背面抛光：清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃及周围边缘PN结；同时，背面经酸液腐蚀后进行抛光处理，减重0.25-0.35g,背面反射率：32-36%;

步骤S4,二氧化硅层制备：通入适量的高纯度氧气，采用热氧化方法在硅片正、背面沉积一层二氧化硅薄膜，其中，热氧化温度：600-700℃,氧气流量：1000-2000sccm,时间：15-30min;

步骤S5,背面叠层膜制备：使用PECVD法在硅片背面制备A10x/Six0yNz/SixCyNz叠层膜，其中，A10x膜厚度为15-20nm,折射率：1.65;采用不同比例均匀混合的SiH4、NH?和N?O制备SixyNz膜，厚度：60-100nm,折射率：2.05-2.10;采用不同比例均匀混合的SiH?、CH?、NH?和N?O制备SixCyNz膜，厚度：20-60nm,折射率：2.10-2.20;

步骤S6,正面氮氧化硅层制备：至少一层膜结构的正面氮氧化硅层制备的条件为：沉积温度：450-550℃,N?O流量：200-800sccm,压力：1500-2000pa,沉积时间：500-700s;

步骤S7,背面激光开槽：利用激光相融原理进行背面叠层钝化膜局部开槽，背面激光图形参数为：线数：120-160根；光斑直径：10-35μm,激光线的间距：500-700μm;

步骤S8,正、背面电极制备：背面印刷背面电极和铝栅线，背面采用铝栅线、铝背场网版结构，其中，铝栅线宽度：120-270μm,副栅根数：120-160根；正面印刷正面电极银栅线，再经过高温烧结，制得P型单晶PERC双面电池。

2.根据权利要求1所述的P型单晶PERC双面电池的制作方法，其特征在于：步骤S6中正面氮氧化硅层采用三层膜结构，其中，触接硅片基底的为第一层膜，第一层膜厚：35-