相变存储器疲劳特性优化策略与内在机理深度剖析.docx

相变存储器疲劳特性优化策略与内在机理深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着大数据时代的来临，数据量呈爆发式增长态势。国际数据公司（IDC）的研究报告显示，全球每年产生的数据量在过去几年中以惊人的速度递增，预计到2025年将达到175ZB。如此庞大的数据规模，对存储器的性能提出了极为严苛的要求。传统的存储器技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（FlashMemory），在面对大数据处理时，逐渐暴露出诸多局限性。DRAM虽然具备快速读写的特性，但其易失性使得断电后数据即刻丢失，这在大数据的持续存储与处理场景中存在明显不足；而FlashMemory尽管是非易失性