CN110517966A 一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110517966A

(43)申请公布日2019.11.29

(21)申请号201910823778.5

(22)申请日2019.09.02

(66)本国优先权数据

201910726350.92019.08.07CN

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

申请人广安职业技术学院

气派科技股份有限公司

四川芯合利诚科技有限公司

四川遂宁市利普芯微电子有限公司四川晶辉半导体有限公司

重庆中科渝芯电子有限公司四川上特科技有限公司

四川蓝彩电子科技有限公司

(72)发明人曾德贵谢嘉林徐开凯赵建明

张霞施宝球许栋梁廖楠

李建全徐银森李健儿黄平刘继芝曾尚文陈勇

(74)专利代理机构石家庄科诚专利事务所(普通合伙)13113

代理人张红卫刘丽丽

(51)Int.CI.

HO1L21/60(2006.01)

HO1L21/78(2006.01)

HO1L23/485(2006.01)

上海朕芯微电子科技有限公司

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括依次进行的以下步骤：

CN110517969A一、制作正面保护层；二、蓝膜切割和裂片；三、制作背面及侧面保护层；四、形成扇出结构。本发明为高密度集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝，在环氧树脂层上形成扇出结构，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装

CN110517969A

CN110517966A权利要求书1/2页

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1.一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

一、制作正面保护层

将已经制作好的、含有若干个芯片的晶圆的正面进行镍金化镀以加厚电极表面的金属镀层，然后将晶圆正面涂上环氧树脂，制成晶圆的正面保护层；

二、蓝膜切割和裂片

使用贴膜机对含有若干个芯片的晶圆的正面及背面进行贴膜，然后对晶圆进行切割和裂片，形成单体芯片；

三、制作背面及侧面保护层

将所有单体芯片的背面朝上置于涂有胶膜层的第二载体上，在单体芯片的背面以及它们之间的间隙中填充环氧树脂，制作形成单体芯片的背面及侧面保护层，得到含有若干个单体芯片的重构芯片；

四、形成扇出结构

在重构芯片的环氧树脂层上制作扇出结构，使用磨片机对重构芯片的正面进行打磨，然后使用划片机和裂片机进行切割和裂片，得到正面、侧面和背面均受环氧树脂层保护的具有扇出结构的单体芯片。

2.根据权利要求1所述的一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，其特征在于，所述步骤一中制作正面保护层的过程包括以下具体步骤：

(一)将已经制作好的、含有若干个芯片的晶圆进行正面镍金化镀，制作生成晶圆加厚的金属镀层；

(二)将晶圆正面朝上置于载物台上的第一载体上，在晶圆的正面涂环氧树脂覆盖整个晶圆的正面，形成环氧树脂层；

(三)对晶圆进行加热，固化其正面的环氧树脂层，生成晶圆的正面保护层。

3.根据权利要求1所述的一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，其特征在于，所述步骤二中蓝膜切割和裂片的过程包括以下具体步骤：

一)将晶圆的背面朝上放置在贴膜机中心的小台面上，抽真空将晶圆固定，使用贴膜机在晶圆的背面贴上第一蓝膜，使用置于贴膜机上的第一晶圆卡环向下将第一蓝膜压紧在晶圆的背面，再用滚轮将第一蓝膜和晶圆压紧，接着切开第一蓝膜，取下第一晶圆卡环，得到背面贴有第一蓝膜的晶圆；

二)将晶圆的正面朝上置于载物台的切片载体上，抽真空将晶圆背面的第一将蓝膜固定，再将划片机置于载物台上，调整好切割参数后开始切割晶圆；

所述切割参数包括切割速度、切割路径和切割深度，所述切割深度小于单个晶圆的厚度；

三)将晶圆的正面朝上放置在贴膜机中心的小台面上，抽真空将晶圆固定，使用贴膜机在晶圆的正面贴上第二蓝膜，并使用第二晶圆卡环向下将第二蓝膜压紧在晶圆的正面，然后用滚轮将第二蓝膜和晶圆进一步压紧，接着切开第二蓝膜，取下第二晶圆卡环，得到正面贴有第二蓝膜的晶圆；

四)取下晶圆背面的第一蓝膜并将晶圆背面朝上放入裂片机，调整裂片机参数后拉伸晶圆正面的第二蓝