CN110510572A 一种电容式压力传感器及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110510572A

(43)申请公布日2019.11.29

(21)申请号201910817636.8

(22)申请日2019.08.30

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人杨翠史芝纲毛维

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

GO1L1/14(2006.01)

GO1L9/12(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种电容式压力传感器及其制作方法

(57)摘要

CN110510572A本发明公开了一种电容式压力传感器及其制作方法，主要解决现有压力传感器线性范围小的问题，其自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4),该绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成，N≥2,每层圆形台阶的厚度相同，半径不同，该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5),隔离层(3)通过腐蚀形成空腔(6),多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8),所述隔离层、通孔和多晶硅薄膜上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层

CN110510572A

量。

钝化层7通孔

钝化层7

金属电极8

多晶硅薄膜4

隔离层3

第2层

第层

单晶硅衬底1

CN110510572A权利要求书1/2页

2

1.一种电容式压力传感器，该结构自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4),该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5),隔离层(3)中间设有空腔(6),且多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8),所述隔离层(3)、通孔(5)和多晶硅薄膜(4)上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层(7),其特征在于：

绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成，其总厚度T为250nm~800nm,每层圆形台阶的厚度都为t=T/N,N为整数，N≥2,每层圆形台阶的半径ri通过求解如下等式确定：

15T/R?×(R-ri)?×ri=(i-1)T/N,

其中，i为整数，且1≤i≤N,R是空腔(6)的半径。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，多晶硅薄膜(4)的厚度h为2～10μm,半径rs为150～600μm,多晶硅薄膜(4)与空腔(6)在水平方向上的交叠长度大于5μm。

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，空腔(6)的高度g为4～10μm,半径R为100μm～500μm。

4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，隔离层(3)的高度与空腔(6)的高度相同。

5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于：

所述绝缘层(2)采用SiO?;

所述隔离层(3)采用SiN;

所述钝化层(7)采用SiO?、SiN、Al?O?、HfO?、Sc?O?中的任意一种。

6.一种制作电容式压力传感器的方法，其特征在于，包括如下：

A)在单晶硅衬底上采用离子刻蚀工艺刻蚀N层绝缘层区域内的单晶硅：

A1)在单晶硅衬底上制作一次掩膜，利用该掩膜在单晶硅衬底上刻蚀半径为r?、厚度为t的第1层绝缘层区域；

A2)在单晶硅衬底上制作二次掩膜，利用该掩膜在单晶硅衬底上刻蚀半径为r2、深度为t的第2层绝缘层区域；

以此类推，直至刻蚀到半径为rn、厚度为t的第N层绝缘层区域，N根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于2的整数；

B)在单晶硅衬底上刻蚀的N层绝缘层区域内采用等离子体增强化学气相淀积工艺淀积绝缘层介质，并平坦化，获得总厚度T为250nm～800nm的绝缘层，该绝缘层是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成，每层圆形台阶的厚度都为t=T/N,N为整数，且N≥2;

C)在单晶硅衬底及绝缘层上淀积厚度g为4～10μm的隔离层；

D)在隔离层上第一次制作掩膜，利用该掩膜刻蚀去除单晶硅衬底上金属电极区域的隔离层介质；

E)在隔离层上淀积厚度h为2～10μm的多晶硅薄膜；

F)在多晶硅薄膜上第二次制作掩膜，利用该掩膜刻蚀作出通孔；

G)通过多晶硅薄膜上的通孔，采