探秘二维层状材料SnSe₂器件：电学输运性质的深度剖析与前沿展望.docx

探秘二维层状材料SnSe?器件：电学输运性质的深度剖析与前沿展望

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年石墨烯被首次成功剥离以来，二维材料凭借其独特的原子结构和物理性质，在凝聚态物理和材料科学领域掀起了研究热潮。二维材料是指电子仅可在两个维度的平面内自由运动（平面内二维自由移动，平面方向的垂直方向则被限制）的材料，其原子层面的厚度赋予了它们与传统三维材料截然不同的特性，如高载流子迁移率、强量子限域效应和优异的光学性能等。这些特性使得二维材料在高速电子器件、高效能源存储与转换、高灵敏度传感器以及高性能光电器件等诸多领域展现出巨大的应用潜力，成为推动下一代信息技术发展的关键材料之一。