CN110534555A 基于r面Al2O3图形衬底的βGa2O3薄膜制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110534555A

(43)申请公布日2019.12.03

(21)申请号201910790253.6

(22)申请日2019.08.26

(71)申请人西安电子科技大学

HO1L33/20(2010.01)

HO1L33/26(2010.01)

HO1L21/365(2006.01)

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人许晟瑞李文陈大正朱家铎张雅超李培咸张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L29/04(2006.01)

H01L29/10(2006.01)

H01L29/24(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L33/16(2010.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

基于r面Al?O?图形衬底的β-Ga?O?薄膜制作方法

(-201)面β-

(-201)面β-Ga?O?层3

β-Ga?O?成核层2

r面Al?O?衬底1

CN110534555A本发明公开了一种基于r面Al?03衬底的β-Ga?03薄膜，主要解决现有技术薄膜位错密度高，薄膜质量差，器件迁移率低的问题。其自下而上包括：200-500um厚的Al?O?衬底层(1)、30-110nm厚的β-Ga?O?成核层(2)、200-3000nm厚的(一201)面β-Ga?O?层(3),其中衬底层采用r面Al?O?衬底且该衬底表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿状条纹。本发明降低了β-Ga?03薄膜位错密度，减小极化效应，有效提升了器件迁移率，改善了制备的Ga?03

CN110534555A

CN110534555A权利要求书1/1页

2

1.一种基于r面Al?O?图形衬底的β-Ga?O?薄膜，自下而上包括：衬底层(1)、β-Ga?0?成核层(2)和(-201)面β-Ga?03层(3),其特征在于：

衬底层(1)采用r面Al?O?衬底，用以减小β-Ga?O?薄膜的面内各向异性，提高Ga?O?薄膜材料的质量；该r面Al?O?衬底表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿状衬底条纹，用以提高β-Ga?O?成核层(2)的质量。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述β-Ga?03成核层(2)的厚度为30-110nm。

3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述(-201)面β-Ga?O?层(3)的厚度为200-1500nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：r面Al?O?衬底的厚度为200-500um。

5.一种基于r面Al?O?图形衬底的β-Ga?03薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将r面Al?O?衬底水平放置，将金刚石砂纸放置在衬底表面，在金刚石砂纸上施加5-15牛顿的力对r面Al?O?衬底进行平行打磨，打磨出平行于Al?O?衬底基准边的条纹图案或垂直于Al?O?衬底基准边的锯齿状条纹图案；

2)将打磨后的r面Al?03衬底先放入HF酸或HC1酸中超声波清洗3-15min,然后依次放入丙酮溶液、无水乙醇溶液和离子水中超声清洗3-15min,最后用氮气吹干；

3)将清洗后的r面Al?O?衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，再抽真空将反应室的真空度降低到小于2×102Torr;然后向反应室通入氢气，在MOCVD反应室压力达到为20-780Torr条件下，将衬底加热到温度为950-1150℃,并保持6-11min,完成对衬底基片的热处理；

4)在经过热处理后的r面Al?O?衬底上采用金属有机物化学气相淀积MOCVD工艺生长厚度为30-110nm的β-Ga?O?成核层；

5)在β-Ga?O?成核层上采用金属有机物化学气相淀积MOCVD工艺生长厚度为200-3000nm的(-201)面β-G?03层，完成薄膜制作。

6.根据权利要求5所述的方法，其中步骤(1)的金刚石砂纸，采用颗粒直径为5-15um的砂纸。

7.根据权利要求5所述的方法，其中步骤4中采用MOCVD工