CN110544723A 具有部分碳化硅材料-硅材料异质结的umosfet及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110544723A

(43)申请公布日2019.12.06

(21)申请号201910754806.2

(22)申请日2019.08.15

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人段宝兴杨鑫王夏萌张一攀杨银堂

(74)专利代理机构西安智邦专利商标代理有限公司61211

代理人胡乐

(51)Int.CI.

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29/78(2006.01)

29/165(2006.01)

29/06(2006.01)

23/373(2006.01)

21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书3页附图1页

(54)发明名称

具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET及其制作方法

(57)摘要

CN110544723A本发明提出了一种具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET及其制作方法，该U-MOSFET器件主要特点是将碳化硅材料与硅材料相结合形成异质结，以碳化硅衬底和N型碳化硅外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外延层，并刻蚀N型硅外延层中间区域深入N型碳化硅外延层顶部，形成槽栅结构。利用碳化硅材料的高临界击穿电场特性，通过击穿点转移技术，将器件槽栅拐角处栅氧的强电场引入碳化硅材料中，抬高了器件的纵向电场峰，器件可承担更高的击穿电压，突破了传统硅基U-MOSFET器件受单一硅材料临界击穿电场的限制，同时碳化硅

CN110544723A

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CN110544723A权利要求书1/2页

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1.一种具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET,包括：

N+型衬底(10);

位于N+型衬底(10)上表面的N型外延层；

在N型外延层上部左、右两端区域分别形成的P型基区(7);P型基区(7)中形成沟道以及N+型源区(2)和P+沟道衬底接触(1);

源极(5),覆盖P+沟道衬底接触(1)与N+型源区(2)相接区域的上表面；两处源极(5)共

接；

漏极(11),位于所述N+型衬底(10)下表面；

其特征在于：

所述N+型衬底(10)采用碳化硅材料；

所述N型外延层由两部分构成：一部分为凹字型结构的N型碳化硅外延层(8),位于所述N+型衬底(10)上表面中间区域；另一部分为两处N型硅外延层(9),分别位于所述N+型衬底(10)上表面左、右两端区域，相应与所述N型碳化硅外延层(8)的侧面邻接；两处P型基区(7)相应形成于两处N型硅外延层(9)的上部；

所述N型硅外延层(9)的厚度大于N型碳化硅外延层(8)的厚度，整体构成凹槽结构，该凹槽以所述凹字型结构的凹部为底，凹槽深度大于P型基区(7)与N型硅外延层(9)之间PN结的深度，所述凹槽内填充形成栅极(3),在栅极(3)与凹槽内壁之间设置有栅氧化层(6);栅极(3)的上表面覆盖有钝化层(4);

所述N型碳化硅外延层(8)和N型硅外延层(9)的厚度和掺杂浓度由器件的耐压要求决定，其中，N型碳化硅外延层(8)和N型硅外延层(9)的掺杂浓度低于N+型衬底(10)的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET,其特征在于：两处源极(5)通过覆盖于钝化层(4)上表面的同材料金属连成一体。

3.根据权利要求1所述的具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET,其特征在于：所述凹字型结构是通过部分刻蚀形成的，N型外延层左右两边刻蚀延伸到N+型衬底(10)上表面，中间部分刻蚀深入到N型碳化硅外延层(8)内，N型碳化硅外延层(8)顶部的刻蚀深度Ln为0.5μm～2μm。

4.根据权利要求1所述的具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET,其特征在于：所述N型硅外延层(9)是通过异质外延技术或键合技术在N+型衬底(10)和N型碳化硅外延层(8)上表面形成的；所述P型基区(7)及其N+型源区(2)和P+沟道衬底接触(1),是在N型硅外延层(9)上部采用离子注入技术形成的。

5.根据权利要求1所述的具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET,其特征在于：所述N型硅外延层(9)和N型碳化硅外延层(8)的掺杂浓度比N+型衬底(10)的掺杂浓度小4-6个数量级。

6.根据权利要求1所述的具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET