CN1598677A 半导体显示器件及其制作方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410085055.3

[51]Int.Cl?

G02F1/136

GO2F1/133H01L21/00

H01L29/786

[43]公开日2005年3月23日[11]公开号CN1598677A

[22]申请日2001.3.27

[21]申请号200410085055.3分案原申请号8

[30]优先权

[32]2000.3.27[33]JP[31]86720/2000

[71]申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县

[72]发明人山崎舜平小山润须泽英臣小野幸治荒尾达也

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人龚海军梁永

权利要求书8页说明书38页附图22页

[54]发明名称半导体显示器件及其制作方法

[57]摘要

提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

知识产权出版社出版

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1.一种液晶显示器件，包括：

像素TFT和驱动电路TFT,各具有：制作在绝缘表面上的半导体层；制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；制作在所述栅绝缘膜上的第一栅

5电极；以及制作在所述第一栅电极上的第二栅电极；

其中所述像素TFT的所述半导体层包含：

与所述第二栅电极重叠的沟道形成区，所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述沟道形成区接触并与所述第一栅电极重叠的第一LDD区，所述栅绝缘膜夹于其间；

10与所述第一LDD区接触的第二LDD区；

与所述第二LDD区接触的源区和漏区，

其中所述驱动电路TFT的半导体层包含：

与所述第二栅电极重叠的沟道形成区，所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述沟道形成区接触并与所述第一栅电极重叠的第三LDD区，15所述栅绝缘膜夹于其间；

与所述第三LDD区接触的源区和漏区，且

其中所述第一栅电极沿所述沟道形成区纵向的宽度大于所述第二栅电极的宽度。

2.按照权利要求1的液晶显示器件，其特征是其中的所述第一栅20电极在边缘部分具有锥形剖面.

3.按照权利要求1的液晶显示器件，其特征是其中的所述第一或第三LDD区含有一个区域，其所述杂质浓度梯度至少为1×1011~1×101?原子/cm3的范围，而且随距所述沟道形成区距离的增加而增大。

4.按照权利要求1的液晶显示器件，其特征是所述第一或第三LDD

25区是以所述第二栅电极作掩模按自对准方式向所述半导体层掺入杂质

元素而形成的。

5.一种液晶显示器件，包括：

制作在绝缘表面上的半导体层，所述半导体层具有沟道形成区、与所述沟道形成区接触的LDD区、以及与所述LDD区接触的源区和漏区；

30制作在所述半导体层上的栅绝缘膜；

制作在所述栅绝缘膜上的第一栅电极和第一引线；

分别制作在所述第一栅电极和所述第一引线上的第二栅电极和第

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二引线；

制作在所述第一栅电极、所述第一引线、所述第二栅电极和所述第二引线上的第一层间绝缘膜；

制作在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜；

5制作在所述第二层间绝缘膜上，并经所述第二层间绝缘膜中开的第一接触孔与所述第一层间绝缘膜接触的中间引线；

其中所述沟道形成区与所述第二栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间；

其中所述LDD区与所述第一栅电极重叠，所述栅绝缘膜夹于其间；

10其中所述中间引线与所述第二引线重叠，所述第一层间绝缘膜在所

述第一接触孔中夹于其间，且

其中所述中间引线经形成于所述栅绝缘膜、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜中的第二接触孔，与所述源区或所述漏区相连。

6.按照权利要求5的液晶显示器件，

15其特征是，包括制作在所述第二层间绝缘膜上