CN1688036A 基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法 （上海交通大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510026609.7

[51]Int.Cl?

H01L43/12H01L43/08G01R33/09

G11B5/39

[43]公开日2005年10月26日[11]公开号CN1688036A

[22]申请日2005.6.9

[21]申请号200510026609.7

[71]申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号[72]发明人周勇丁文曹莹陈吉安

周志敏

[74]专利代理机构上海交达专利事务所代理人王锡麟王桂忠

权利要求书2页说明书5页

[54]发明名称基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁

敏器件的制作方法

[57]摘要

一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，属于传感器技术领域。本发明采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号；采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成分的曲折状三明治结构软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层；采用专用的化学腐蚀液刻蚀纳米晶成分的曲折状三明治结构软磁多层膜，形成磁敏器件；通过选择合适的永磁体对多层膜的巨磁阻抗效应曲线进行偏置，使磁敏器件工作在线性区域。本发明实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。

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知识产权出版社出版

200510026609.7权利要求书第1/2页

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1、一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，其特征在于，具体制作方法的步骤如下：

(1)、在双面氧化的硅片上甩正胶，光刻胶厚度为5～6μm,将衬底基片烘干，光刻胶烘干温度为95℃,时间为30分钟；曝光、显影后，湿法刻蚀SiO?,形成套刻对准符号；

(2)、溅射软磁薄膜FeCuNbSiB或FeCuNbCrSiB薄膜，厚度为2～6μm;

(3)、溅射Cu底层，厚度为100～200nm;

(4)、甩正胶，光刻胶厚度为8μm,将衬底基片烘干，光刻胶烘干温度为95℃,烘干时间为30分钟，曝光、显影；

(5)、电镀Cu层，厚度为2～6μm;

(6)、去正胶，用物理方法去除Cu底层；

(7)、溅射软磁薄膜FeCuNbSiB或FeCuNbCrSiB薄膜，厚度为2～6μm;

(8)、甩正胶，厚度为8μm,光刻胶烘干温度为120℃,烘干时间为60分钟，曝光、显影；

(9)、在40℃的水浴中，采用专用的腐蚀液刻蚀软磁薄膜；

(10)、去正胶、清洗、烘干；

(11)、在真空炉中300～400℃下磁场退火半小时；

(12)、采用微细加工技术制备永磁体，用环氧胶将永磁体粘贴于多层膜器件的背面，最终形成了多层膜巨磁阻抗效应器件。

2、如权利要求1所述的基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，其特征是，套刻符号为曝光提供准确的对准。

3、如权利要求1所述的基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，其特征是，所述的软磁薄膜为FeCuNbSiB、FeCuNbCrSiB薄膜，其制备工艺为：溅射的薄膜为非晶薄膜，基底的真空为8×10-5Pa,溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和600W,氩气流量为13SCCM,溅射过程中沿薄膜的横向施加约16kA/m的磁场。

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4、如权利要求1所述的基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，其特征是，所述的Cu底层，其制备工艺为：基底的真空为4×10-4Pa,溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W,氩气流量为

20SCCM。

5、如权利要求1所述的基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，其特征是，通过调节多层膜中各层材料结构参数及磁场退火，可以大大提高多层膜的巨磁阻抗效应和磁场灵敏度。

200510026609.7说明书