2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道及一套答案.docxVIP

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  • 2026-02-17 发布于河南
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2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道及一套答案.docx

2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道

第一部分单选题(200题)

1、8051单片机的定时器/计数器T0工作在模式2时,其主要特点是?

A.16位自动重装初值

B.8位自动重装初值

C.13位计数

D.两个8位计数器(T0分为TH0和TL0)

【答案】:B

解析:本题考察定时器/计数器工作模式。8051的定时器/计数器有4种模式:模式0(13位,T0/T1)、模式1(16位,T0/T1)、模式2(8位自动重装,仅T0/T1部分适用)、模式3(T0分为两个8位,T1停止)。选项A是模式1(16位),C是模式0(13位),D是模式3(T0特有的双8位计数器),模式2的核心特点是初值自动重装。

2、8051单片机的定时器/计数器T0工作在模式1时,其位数为?

A.8位

B.13位

C.16位

D.2位

【答案】:C

解析:本题考察定时器/计数器工作模式。8051的定时器0/1有4种工作模式:模式0为13位(1个8位TH0+低5位TL0)、模式1为16位(TH0+TL0)、模式2为8位自动重装、模式3为T0分为两个8位(T1停止)。模式1下是16位,因此正确答案为C。

3、MCS-51单片机的定时器/计数器工作在模式2时,其计数器位数是?

A.8位

B.13位

C.16位

D.2位

【答案】:A

解析:本题考察定时器模式。MCS-51定时器/计数器有4种模式:模式0(13位)、模式1(16位)、模式2(8位自动重装)、模式3(两个独立8位);模式2的特点是8位计数器+自动重装初值,适用于精确定时;B为模式0,C为模式1,D无此模式。

4、8051单片机的内部程序存储器(ROM)容量通常为多少?

A.4KB

B.16KB

C.64KB

D.8KB

【答案】:A

解析:本题考察8051单片机的存储器结构。8051单片机的典型配置中,内部程序存储器(ROM)容量为4KB(即4096字节),用于存储程序代码。选项B(16KB)通常是增强型单片机(如STC15系列)的内部ROM容量;选项C(64KB)是外部扩展程序存储器的最大寻址空间(通过P0/P2口扩展);选项D(8KB)是部分低端单片机的内部ROM容量,但非8051典型配置。正确答案为A。

5、在单片机中断服务程序中,首先需要执行的关键操作是?

A.保护现场

B.清除中断标志

C.开中断

D.执行中断服务内容

【答案】:A

解析:本题考察中断服务程序的执行流程。中断服务程序的首要任务是保护现场(如寄存器内容、标志位等),防止中断打断主程序时破坏原有数据。选项B(清除中断标志)通常在中断响应后执行(如清除IE0=0),但非第一步;选项C(开中断)一般在主程序中或中断返回前,用于允许更高优先级中断嵌套;选项D(执行中断服务内容)需在保护现场后进行。因此正确答案为A。

6、8051单片机的串行口工作在方式1时,其波特率由什么决定?

A.定时器1的溢出率和SMOD位

B.定时器0的溢出率和SMOD位

C.内部时钟频率

D.外部晶振频率

【答案】:A

解析:本题考察串行口波特率的生成原理。A选项正确,8051串行口方式1的波特率公式为:波特率=(2^SMOD/32)×定时器1溢出率,其中SMOD为PCON寄存器的最高位,定时器1通常作为波特率发生器。B选项错误,定时器0一般用于中断或其他功能,不用于方式1波特率生成;C、D选项错误,内部时钟和外部晶振是单片机工作的基础频率,需通过定时器1溢出率和SMOD位共同计算波特率,而非直接决定。

7、MCS-51单片机的定时器/计数器T0工作在方式1时,其计数器位数为?

A.8位

B.13位

C.16位

D.2位

【答案】:C

解析:本题考察定时器/计数器的工作方式。正确答案为C,方式1下,T0由TH0(高8位)和TL0(低8位)组成16位加法计数器,计数范围0~65535。选项A(8位)为方式2(自动重装初值);选项B(13位)为方式0(TH0高8位+TL0低5位);选项D(2位)非MCS-51定时器/计数器的有效位数。

8、51单片机的P0口作为通用I/O口使用时,必须外接上拉电阻的主要原因是?

A.内部无上拉电阻,漏极开路输出

B.内部上拉电阻阻值过大

C.防止外部电路电流过大

D.避免I/O口被静电击穿

【答案】:A

解析:本题考察I/O口特性。P0口内部结构为漏极开路输出,无内部上拉电阻,若需输出高电平,必须外接上拉电阻才能实现“准双向口”功能(否则只能输出低电平)。选项B(内部上拉电阻阻值过大)错误,P1-P3口内部已有固定上拉电阻;选项C(防止电流过大)非外接电阻的核心原因;选项D(避免静电击穿)与上拉电阻无关。因此正确答案为A。

9、MC

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