CN1684247A 深沟槽电容的制作方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510063917.7

[51]Int.Cl?

H01L21/822

H01L21/8242

[43]公开日2005年10月19日[11]公开号CN1684247A

[22]申请日2005.3.30

[21]申请号200510063917.7

[30]优先权

[32]2004.3.30[33]US[31]10/812,412

[71]申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾桃园县

[72]发明人王显荣王凯弘

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书1页说明书6页附图13页

[54]发明名称深沟槽电容的制作方法

[57]摘要

本发明揭露深沟槽电容的制作方法，先提供一半导体基底，并形成一第一沟槽于该半导体基底中。接着氧化该半导体基底以形成一氧化硅层于该第一沟槽表面；沉积一氧化铝层于该第一沟槽的底部与侧壁上，并覆盖该氧化硅层；移除该第一沟槽底部上的部分氧化铝层与氧化硅层；形成一第二沟槽于该第一沟槽下方；蚀刻该第二沟槽以形成一加宽第二沟槽，且该第一沟槽与该加宽扩散第二沟槽一同构成一瓶状深沟槽；形成一介电层于该瓶状深沟槽表面；以及利用一导电填充物填满该瓶状深沟槽以形成一深沟槽电容。

4

4724-8001NSSI

知识产权出版社出版

200510063917.7权利要求书第1/1页

2

1.一种深沟槽电容的制作方法，该制作方法包括下列步骤：

(a)提供一半导体基底，并于该半导体基底中形成一第一沟槽；

5(b)氧化该半导体基底以于该第一沟槽表面形成一氧化硅层；

(c)沉积一氧化铝层于该第一沟槽的底部与侧壁上，并覆盖该氧化硅层；

(d)移除该第一沟槽底部上的部分该氧化铝层与部份该氧化硅层；

(e)于该第一沟槽下方形成一第二沟槽；

(f)蚀刻该第二沟槽以形成一加宽第二沟槽，且该第一沟槽与该加宽第二

10沟槽一同构成一瓶状深沟槽；

(g)于该瓶状深沟槽表面形成一介电层；以及

(h)利用一导电填充物填满该瓶状深沟槽以形成一深沟槽电容。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中于该步骤(f)还包括一掺杂步骤以掺杂该加宽第二沟槽的该半导体基底以形成一第一电极。

153.如权利要求1所述的制作方法，其中于该步骤(f)还包括一沉积步骤以形成一粗糙多晶硅层于该加宽第二沟槽表面。

4.如权利要求3所述的制作方法，其中该沉积步骤利用一半颗粒状多晶硅沉积步骤(hemisphericalgrainpolysilicondepositionprocess)以沉积该粗糙多晶硅层于该加宽第二沟槽表面。

205.如权利要求1所述的制作方法，其中该步骤(g)包括下列步骤：

沉积一氮化硅层于该瓶状深沟槽上；以及

氧化该氮化硅层以形成该介电层。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该导电填充物为一多晶硅填充物。

257.如权利要求1所述的制作方法，其中该氧化铝层由三氧化二铝

(Al?O?)所组成。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中该步骤(f)为一湿蚀刻工艺。

9.如权利要求1所述的制作方法，其中该步骤(f)为一反应性离子蚀刻工艺(reactionionetching)。

200510063917.7说明书第1/6页

3

深沟槽电容的制作方法

5技术领域

本发明涉及一种深沟槽的制作方法，特别是涉及一种于一半导体基底形成深沟槽的制作方法。

背景技术

10集成电路(integratedcircuits)或芯片一般使用电容来储存电荷，而目前常见使用电容的集成电路包括存储型集成电路，如动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory)即为一种广泛使用的存储型集成电路。在电容里，储存电荷的状态(0或1)即代表着一个数据位(databit)。

动态随机存取存储器一般包括一个连接电容的