2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道附参考答案（培优b卷）.docxVIP

2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道

第一部分单选题(200题)

1、MCS-51单片机的定时器/计数器T0工作在方式1时，其计数器位数为？

A.8位

B.13位

C.16位

D.2位

【答案】：C

解析：本题考察定时器/计数器的工作方式。正确答案为C，方式1下，T0由TH0（高8位）和TL0（低8位）组成16位加法计数器，计数范围0~65535。选项A（8位）为方式2（自动重装初值）；选项B（13位）为方式0（TH0高8位+TL0低5位）；选项D（2位）非MCS-51定时器/计数器的有效位数。

2、执行指令MOVA,#data的功能是？

A.将立即数data送入累加器A

B.将直接地址data送入累加器A

C.将内部RAM单元data的内容送入累加器A

D.将外部RAM单元data的内容送入累加器A

【答案】：A

解析：本题考察数据传送类指令的功能。指令中“#data”表示8位立即数，因此MOVA,#data的功能是将立即数data直接送入累加器A。选项B中“直接地址”应为MOVA,direct（如MOVA,20H）；选项C为直接寻址或间接寻址（如MOVA,@R0）；选项D需用MOVX指令（如MOVXA,@DPTR），故正确答案为A。

3、8051单片机的P0口作为通用I/O口使用时，正确的描述是？

A.无需外接上拉电阻即可输出高电平

B.内部集成上拉电阻，可直接输出高电平

C.漏极开路结构，输出高电平时必须外接上拉电阻

D.仅能作为输入口使用，无法输出数据

【答案】：C

解析：本题考察P0口的硬件特性。P0口内部为漏极开路结构，输出低电平时可直接驱动负载，但输出高电平时内部无上拉，需外接上拉电阻才能使端口输出高电平（否则无法稳定输出高电平）。选项A错误（需上拉），选项B错误（P0无内部上拉），选项D错误（P0可双向I/O），故正确答案为C。

4、AT89C51单片机内部通常不集成以下哪个模块？

A.CPU核心

B.内部RAM

C.外部RAM

D.定时器/计数器

【答案】：C

解析：本题考察单片机内部结构知识点。AT89C51内部集成了CPU核心、内部RAM（数据存储器）、定时器/计数器等模块，而外部RAM需通过地址线和数据线扩展（非内部集成）。因此正确答案为C。

5、8051单片机串行口工作在方式1时，其波特率由什么决定？

A.定时器0的溢出率

B.定时器1的溢出率

C.内部时钟频率

D.外部晶振频率

【答案】：B

解析：本题考察串行通信的波特率生成。正确答案为B（定时器1的溢出率）。8051串行口工作方式1为8位UART异步通信，波特率由定时器1的溢出率决定（通过T1溢出产生波特率发生器，结合SMOD位调整）。方式0波特率固定为fosc/12，方式2波特率固定为fosc/32（SMOD=0）或fosc/64（SMOD=1），方式3与方式1波特率生成逻辑相同。选项A为方式0波特率无关，选项C/D为晶振频率，波特率由内部分频或定时器溢出间接决定，非直接由晶振或内部时钟决定。

6、在MCS-51单片机中，串行口工作在方式1时，其波特率的产生依赖于什么？

A.定时器0溢出

B.定时器1溢出

C.外部中断触发

D.指令周期

【答案】：B

解析：本题考察MCS-51串行口通信的波特率生成原理。正确答案为B，方式1波特率由定时器1的溢出率决定（通常将定时器1配置为模式2自动重装初值，以稳定波特率）。A选项（定时器0溢出）多用于其他定时器功能（如外部计数）；C选项（外部中断触发）与波特率无关；D选项（指令周期）是基础时间单位，非波特率直接生成源。

7、8051单片机定时器工作在模式2时，其特点是？

A.16位自动重装初值

B.8位自动重装初值

C.13位自动重装初值

D.2位自动重装初值

【答案】：B

解析：本题考察51单片机定时器的工作模式。模式0为13位定时器（TH1的高8位+TL1的低5位）；模式1为16位定时器（TH1+TL1）；模式2为8位自动重装初值（TH1的值自动装入TL1）；模式3仅适用于定时器0，将其拆分为两个8位定时器。选项A是模式1的特点，选项C、D描述错误，故正确答案为B。

8、8051单片机定时器/计数器T0工作在模式2时，其主要特点是？

A.16位自动重装初值

B.13位定时器/计数器

C.8位自动重装初值

D.两个独立的8位计数器

【答案】：C

解析：本题考察定时器/计数器工作模式的知识点。8051单片机定时器0的模式2为8位自动重装初值模式，TL0计数溢出时自动重装TH0的初值，适用于波特率发生器等场景；模式1为16位定时器，模式0为13位定时器，模式3仅T0支持且分为两个8位计数器。选项