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一维ZnO半导体纳米线：制备工艺、场发射特性及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，一维ZnO半导体纳米线凭借其独特的结构和优异的性能，逐渐崭露头角，成为科研人员关注的焦点。ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带半导体氧化物，室温下禁带宽度高达3.37eV，激子束缚能约为60meV，这些本征特性赋予了ZnO纳米线在光电器件、传感器、压电器件等众多领域巨大的应用潜力。

从学术研究角度来看，对一维ZnO半导体纳米线的深入探究，有助于我们进一步理解低维半导体材料的量子尺寸效应、表面效应以及界面效应等微观物理机制。当材料的维度降低到纳米