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- 2026-02-18 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[21]申请号200510008087.8
[51]Int.Cl.
G03F7/20(2006.01)HO1L21/027(2006.01)
[43]公开日2006年8月23日[11]公开号CN1821880A
[22]申请日2005.2.16
[21]申请号200510008087.8
[71]申请人胜华科技股份有限公司地址台湾省台中县
[72]发明人郭建忠
[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
权利要求书3页说明书8页附图4页
[54]发明名称
用于制作隔离壁的曝光方法
[57]摘要
一种用于制作隔离壁的曝光方法,是于一基板表面涂布正型光阻以形成一光阻膜,再于光阻膜上方设置一光罩,接着,以紫外线做为曝光射线,且紫外线分别以与光罩表面夹一预定角度的方式,先后进行第一次曝光与第二次暴光,以便于以后的显影处理后,可于基板上形成倒梯形的隔离壁。
200510008087.8权利要求书第1/3页
2
1.一种用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,包含下列步骤:
5涂布一正型光阻于一基板表面;
于该正型光阻上方设置一光罩,该光罩具有一可透光区与一不可透光区;
使一第一射线以与该光罩表面夹一θ1角度的方式照射该光罩,该第一射线经过该可透光区并照射于该正型光阻;
10使一第二射线以与该光罩表面夹一θ2角度的方式照射该光罩,该第二射线经过该可透光区并照射于该正型光阻。
2.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该第一射线是自该光罩表面的垂直方向的一侧照射该光罩,该第二射线是自该光罩表面的垂直方向的另一侧照射该光罩。
153.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该θ1角度与该θ2角度相同。
4.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该正型光阻材料是自AZP4210、AZ1500、ZWD6216以及DL-1000所构成的族群中所选出。
205.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该第一射线是为紫外线。
200510008087.8权利要求书第2/3页
3
6.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该第二射线是为紫外线。
7.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该基板是自玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板以及具导电膜的基板所构
5成的族群中所选出。
8.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该θ1角度为小于九十度的锐角。
9.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该θ2角度为小于九十度的锐角。
1010.一种用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,包含下列步骤:提供一基板,该基板表面涂布有一正型光阻;
提供一光罩,该光罩位于该正型光阻上方;
提供一曝光源,该曝光源的射线以与该光罩表面夹一预定角度的方式照射该光罩并对该正型光阻进行第一次曝光;
15旋转该基板预定角度;
该曝光源再次照射该光罩并对该正型光阻进行第二次曝光。
11.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该基板在完成第一次曝光后,被旋转一百八十度,继续进行第二次曝光。
2012.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法,其特征在于,其中该正型光阻材料是自AZP4210、AZ1500、ZWD6216
200510008087.8
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