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Sol-Gel法制备掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理的性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，ZnO薄膜凭借其独特的物理性质，展现出了巨大的应用潜力。ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，晶体结构为六方纤锌矿结构。其具有较大的激子束缚能，约为60meV，这使得ZnO中的激子在较高温度下依然能够稳定存在，为室温下实现高效率的激子发射提供了保障，也使其在发光二极管、紫外激光器、太阳能电池、薄膜气体传感器以及透明导电电极等众多光电器件中具有广泛的应用前景。

然而，本征ZnO薄膜的电学和光学性能往往难以满足实际应用的多样化需求