气相色谱法分析电子级四氯化硅中痕量杂质.pdfVIP

第43卷第6期低温与特气Vol.43,No.6

2025年12月LowTemperatureandSpecialtyGasesDec.,2025

·分析与测试·

气相色谱法分析电子级四氯化硅中痕量杂质

关文顺，邢云龙，田景源，胡渊蛟*

（辽宁科瑞色谱技术有限公司，辽宁丹东118009）

摘要:建立了一种快速、准确的气相色谱分析方法，用于定量分析电子级四氯化硅(SiCl4)中痕量杂质(H，O_2/Ar,

——

N2，CH4，CO，CO2，SiH_3Cl，SiH2Cl2，SiHCl3)。该研究对于半导体及光纤通信行业前端材料-电子级四氯化硅

的质量控制具有重要意义。使用辽宁科瑞色谱技术有限公司生产的GS2010气相色谱仪，搭载脉冲放电氦离子化

检测器（PDHID)，采用中心切割及反吹的多柱联用方法分析电子级四氯化硅中痕量杂质。采用外标法对目标杂质

进行定量分析，并进行了方法学验证。所建立的方法能够有效分离并准确定量四氯化硅中多种痕量杂质。方法具

有较高的精密度（RSD3%)和较低的检出限(可达10级别)。本方法操作简便、分析快速、结果准确，能够满足

工业生产中对电子级四氯化硅纯度的快速检测要求，为电子级四氯化硅的质量控制与评价提供了可靠的分析技术

支撑。

关键词：四氯化硅；中心切割;PDHID；气相色谱仪

中图分类号：TQ117文献标志码：A文章编号：1007-7804（2025）06-0033-05

doi:10.3969/j.issn.1007-7804.2025.06.008

AnalysisofTraceImpuritiesinElectronic-grade

SiliconTetrachloridebyGasChromatography

GUANWenshun,XINGYunlong,TIANJingyuan,HUYuanjiao*

(LiaoningKeruiChromatographyTechnologyCo.,Ltd.,Dandong118009,China)

Abstract:Arapidandaccurategaschromatography(GC)analyticalmethodwasdevelopedforthequantitativedetermina-

tionoftraceimpurities(H2,O2/Ar,N2,CH4,CO,CO2,SiH3Cl,SiH2Cl2,SiHCl3)inelectronic-gradesilicontetra-

chloride(SiCl4).Thisresearchholdssignificantimportanceforthequalitycontrolofelectronic-gradeSiCl4,acritical

front-endmaterialinthesemiconductorandopticalfibercommunicationindustries.AGS2010gaschromatographproduced

byLiaoningKeruiChromatographyTechnologyCo.,Ltd.,coupledwithapulseddischargeh