CN100389485C 一种运用激光制作集成电路样品断面的方法 （上海华虹（集团）有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明专利号ZL200310122898.1

[45]授权公告日2008年5月21日

[51]Int.Cl.

HO1L21/66(2006.01)

HO1L21/00(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100389485C

[22]申请日2003.12.27

[21]申请号200310122898.1

[73]专利权人上海华虹(集团)有限公司地址200020上海市淮海中路918号18楼

共同专利权人上海集成电路研发中心有限公司[72]发明人姚峰英

[56]参考文献

CN1414893A2003.4.30

JP2002-343747A2002.11.29US20030047543A12003.3.13US20030003690A12003.1.2CN1393317A2003.1.29

审查员吴黎

[74]专利代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人滕怀流陶金龙

权利要求书1页说明书3页附图1页

[54]发明名称

一种运用激光制作集成电路样品断面的方法

[57]摘要

本发明属集成电路制造工艺的分析检测技术领域。为了快速、准确地制作集成电路的样品断面以进行断面电镜分析，克服手工和机械制样精度低、偏差大以及聚焦离子束分析(FIB)速度慢、时间长、容易沾污样品的缺点，本发明提出一种运用激光制作集成电路样品断面的方法。具体是将高能激光束经聚焦后投射到硅片上，通过对微小区域进行快速加热，改变此区域的机械性能，与同时加在样品上的机械力相互配合，准确地在样品上产生裂纹并使样品按预定方向开裂，从而迅速、精确地得到所需要的断面。本方法制样时间和手工及机械方式相当，而精度却有很大的提高，仅略逊于FIB方式，是一种准确高效的集成电路断面样品制备方法。

200310122898.1权利要求书第1/1页

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1、一种制作集成电路样品断面的方法，其特征是，将激光束经聚焦后投射到硅片上，通过对微小区域进行加热，与同时加在样品上的机械力相互配合，准确地在样品上产生裂纹并使样品按预定方向开裂，从而得到所需要的断面；其中：

所述的激光束波长为0.2um-50um,脉冲能量为0.5J-200J,脉冲频率为1Hz-10KHz,激光器功率为10W-10KW。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的激光束用固体激光器产生，或用气体激光器产生。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的固体激光器为红宝石激光器、钕玻璃激光器、NdYAG激光器或半导体激光器，所述的气体激光器为CO?激光器、CO激光器或准分子激光器。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的激光器采用透射式聚焦或者反射式聚焦方式，聚焦焦距10毫米到500毫米，聚焦束斑直径0.001毫米到0.1毫米。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征是，按照需要的裂纹方向，使硅片所在平面进行运动，或者使激光束进行运动。

200310122898.1说明书第1/3页

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一种运用激光制作集成电路样品断面的方法

技术领域

本发明属于集成电路制造工艺中的分析检测技术领域，具体涉及一种运用激光制作集成电路样品断面的方法。

背景技术

随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断缩小，先进CMOS工艺中晶体管栅极的长度已经接近0.1微米。特征线宽的不断缩小导致了芯片集成度的大幅度提高，但是细小的线条给工艺分析带来了很大的困难。

断面分析是开发和监控集成电路生产工艺的重要分析手段，它通过在需要分析的区域沿硅片厚度方向切断硅片，然后将断面样品拿到断面扫描电子显微镜下放大观察，分析工艺中的问题或器件失效的原因，是集成电路行业不可缺少的分析手段。

最常用的制作断面的方法是手工方法：凭肉眼找到待分析的位置，用金刚刀在待切位置附近划出裂纹，然后手工加力，使样品沿裂纹开裂，得到所须的样品。该方法快速、简单，但也有很大的局限性。为了要使肉眼找到位置，待分析的区域要相当长，要几毫米才能容易辨认；而手工划裂纹的误差和不确定性也同样要求待分析区域足够长(5毫米以上)以保证在需要的位置断开。所以为了进行断面分析，常常在设计中就要专门安排特别的大块区域放置特别设计的断面线条以方便断面样品的制作。随着集成电路尺寸的缩小，单位面积内线条大大增加