CN100405624C 集成热电冷却器件及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200510082038.9

[45]授权公告日2008年7月23日

[51]Int.Cl.

HO1L35/00(2006.01)

书HO1L21/70(2006.01)

书

HO1L27/00(2006.01)

HO1L23/38(2006.01)

HO1L25/00(2006.01)

[11]授权公告号CN100405624C

[22]申请日2005.7.5

[21]申请号200510082038.9

[30]优先权

[32]2004.11.12[33]US[31]10/988,015

[73]专利权人国际商业机器公司地址美国纽约

[72]发明人陈浩朱兆凡许履尘

[56]参考文献

WO00/19548A12000.4.6

JP2004-172481A2004.6.17

US6347521B12002.2.19

US4744833A1988.5.17

JP9-51125A1997.2.18审查员刘震

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人秦晨

权利要求书5页说明书14页附图8页

[54]发明名称

集成热电冷却器件及其制作方法

[57]摘要

本发明给出了半导体集成热电器件，利用半导体薄膜和VLSI(超大规模集成)制作工艺形成，具有高密度热电(TE)元件阵列。热电器件可以，例如，单独形成并与半导体芯片键合，也可以集成形成在半导体芯片的无源表面中。

200510082038.9权利要求书第1/5页

2

1.一种用于制作热电器件的方法，包含：

在衬底上形成台阶结构图形，台阶结构由绝缘材料形成；

在台阶结构上形成锥形侧壁；

在衬底表面和台阶结构之上以共形层的形式形成热电材料的层；由台阶结构的锥形侧壁上的热电材料的层形成热电元件，包含：

进行第一倾角注入工艺以便用n型材料掺杂锥形侧壁的第一侧壁上的热电材料，并进行第二倾角注入工艺以便用p型材料掺杂锥形侧壁的第二侧壁上的热电材料，从而每个台阶结构

包含形成于其上的一个热电元件对；以及在热电元件之间形成互连。

2.根据权利要求1的方法，其中利用自对准镶嵌工艺形成台阶结构图形。

3.根据权利要求1的方法，其中形成台阶结构图形包含：

在衬底上形成一层第一绝缘材料；

在第一绝缘材料层中形成凹坑图形；

用第二绝缘材料填充凹坑；

除去第一绝缘材料以在衬底上形成台阶结构图形，台阶结构由第二绝缘材料形成。

4.根据权利要求3的方法，其中第一绝缘材料厚度为0.1微米至1微米。

5.根据权利要求1的方法，其中热电材料的层由非本征合金半导体材料形成。

6.根据权利要求1的方法，其中热电材料的层由SiGe形成。

7.根据权利要求1的方法，其中热电材料的层的厚度在50nm至500nm范围。

8.根据权利要求1的方法，其中在相邻热电元件之间形成互连包含形成金属硅化物互连。

200510082038.9权利要求书第2/5页

3

9.根据权利要求8的方法，其中金属硅化物互连利用自对准硅化工艺来形成。

10.根据权利要求9的方法，其中自对准硅化工艺包含：

在热电元件上形成垫层；

在垫层和热电材料的层的暴露区域上沉积一层金属；

进行退火工艺将热电材料的层与金属层接触的区域转变成金属硅化物；以及

除去金属层的未反应区域。

11.根据权利要求10的方法，其中在热电元件上形成垫层包含：在热电材料的层上沉积一层氮化物；以及

各向异性腐蚀氮化物层以除去热电材料的层的要形成互连的区域上的氮化物材料。

12.根据权利要求1的方法，其中衬底为绝缘体上硅衬底，包含氧化物层和形成在氧化物层上的硅层。

13.根据权利要求12的方法，其中台阶结构的底表面与衬底的氧化物层直接接触。

14.根据权利要求1的方法，进一步包含在热电元件和互连上形成一层第三绝缘材料以密封热电器件。

15.根据权利要求14的方法，进一步包含构图热电元件和互连以形成热电元件的分开的各阵列。

16.根据权利要求14的方法，其中热电器件的总厚度在0.5微米至5微米的范围。

17.根据权利