CN100382302C 双重镶嵌互连结构及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[51]Int.Cl.

[51]Int.Cl.

HO1L23/52(2006.01)HO1L21/768(2006.01)

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书专利号ZL200410057524.0

[45]授权公告日2008年4月16日[11]授权公告号CN100382302C

[22]申请日2004.8.17

[21]申请号200410057524.0

[30]优先权

[32]2003.8.21[33]US[31]10/645,308

[73]专利权人国际商业机器公司地址美国纽约

[72]发明人考什克·A·库玛凯利·马隆克里斯蒂·S·泰伯格

[56]参考文献

CN1428838A2003.7.9

US6,383,920B12002.5.7

US2003/0022472A12003.1.30

审查员王艳华

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利

商标事务所

代理人王永刚

权利要求书6页说明书13页附图4页

[54]发明名称

双重镶嵌互连结构及其制作方法

[57]摘要

提供了一种双重镶嵌互连结构，它具有在衬底上的图形化多层旋涂介质。此图形化多层旋涂介质包括：帽层；第一无孔低介电常数介质层，其上具有带底部和侧壁的金属通路导体；腐蚀停止层；第一多孔低介电常数介质层，其上具有带底部和侧壁的金属线条导体；所述第一多孔低介电常数介质层上的抛光停止层；用来涂敷和整平线条和通路侧壁的第二薄无孔低介电常数介质层；以及所述金属通路导体和所述金属线条导体分别与所述第一无孔低介电常数介质层和所述第一多孔低介电常数介质层之间的衬里材料。还提供了一种制作双重镶嵌互连结构的方法。

200410057524.0权利要求书第1/6页

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1.一种双重镶嵌互连结构，包含衬底上的图形化多层介质，其中，

衬底上的图形化多层介质包含：

帽层；

第一无孔低介电常数介质层，其上具有带底部和侧壁的金属通路导体；

腐蚀停止层；

第一多孔低介电常数介质层，其上具有带底部和侧壁的金属线条导体；

所述第一多孔低介电常数介质层上的抛光停止层；

用来涂敷和整平线条和通路侧壁的第二薄无孔低介电常数介质层；以及

所述金属通路导体和所述金属线条导体分别与所述第一无孔低介电常数介质层和所述第一多孔低介电常数介质层之间的衬里材料。

2.权利要求1的双重镶嵌结构，其中，所述第一多孔低介电常数介质层和所述第一无孔低介电常数介质层与所述腐蚀停止层形成共价键合。

3.权利要求1的双重镶嵌结构，其中，所述第一无孔低介电常数介质层具有共价键合到所述腐蚀停止层的材料。

4.权利要求3的双重镶嵌结构，其中，所述共价键合材料，从SiLKTM、GX-3TM、SiLKTM和GX-3TM的组合、以及其它有机材料与SiLKTM和GX-3TM的组合所组成的组中选取。

5.权利要求1的双重镶嵌结构，其中，所述第一多孔低介电常数介质层具有共价键合到所述腐蚀停止层的材料。

6.权利要求1的双重镶嵌结构，其中，所述第一多孔低介电常数介质层，具有选自多孔SiLKTM、多孔GX-3TM、多孔SiLKTM和多孔GX-3TM的组合、以及其它多孔有机材料与多孔SiLKTM和多孔

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3

GX-3TM的组合所组成的组中的材料。

7.权利要求1的双重镶嵌结构，其中，所述第一多孔低介电常数介质层的材料具有尺寸大于2nm的细孔。

8.权利要求1的双重镶嵌互连结构，其中，所述第一无孔低介电常数介质层和所述第一多孔低介电常数介质层，具有完全相同的化学组成。

9.权利要求1的双重镶嵌互连结构，其中，所述第一无孔低介电常数介质层、所述第一多孔低介电常数介质层、以及所述第二薄无孔低介电常数介质层是有机的。

10.权利要求1的双重镶嵌互连结构，其中，所述腐蚀停止层和所述第二薄无孔低介电常数介质层是含硅的。

11.权利要求1的双重镶嵌互连结构，其中，所述腐蚀停止层是含硅的。

12.权利要求1的双重镶嵌互连结构，其中，所述第二薄无孔