CN100420044C 发光二极管及其制作方法 （晶元光电股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利说明书

专利号ZL200410011799.0

[45]授权公告日2008年9月17日[11]授权公告号CN100420044C

[22]申请日2004.9.29

[21]申请号200410011799.0

[73]专利权人晶元光电股份有限公司地址台湾省新竹市

[72]发明人杜全成林锦源

[56]参考文献

WO2004/051758A12004.6.17US2004/0079951A12004.4.29US6759685B22004.7.6

US2003/0122139A12003.7.3

审查员吴黎

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人陶凤波侯宇

权利要求书2页说明书6页附图4页

[54]发明名称

发光二极管及其制作方法

[57]摘要

100122108112114116106-120118132104102本发明提供一种发光二极管及其制作方法。此发光二极管包括一发光结构、一硅基板及一接合层。发光结构包括二层半导体层、接触该二层半导体层之一的一第一欧姆接触金属层、接触该第一欧姆接触金属层的一导电薄膜及接触该导电薄膜的一反射层，二层半导体层为不同掺杂类型。发光结构

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200410011799.0权利要求书第1/2页

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1.一种发光二极管，包括：

一发光结构，包括二层半导体层、接触该二层半导体层之一的一第一欧姆接触金属层、接触该第一欧姆接触金属层的一导电薄膜及接触该导电薄膜的一反射层，该二层半导体层为不同掺杂类型，该发光结构通入一电流时发光；

一硅基板，包括二个区域，该二个区域为不同掺杂类型；以及

一接合层，供接合该发光结构的该反射层与该硅基板，使最接近该接合层的该二层半导体层之一与最接近该接合层的该二个区域之一为不同掺杂类型。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该掺杂类型包括p型与n型。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中该硅基板选自一部分掺杂成n型的一p型掺杂硅基板及一部分掺杂成p型的一n型掺杂硅基板所组成的群组。

4.如权利要求2所述的发光二极管，还包括：

一第二欧姆接触金属层，接触该二层半导体层中的另一个；

一第一焊垫，接触该导电薄膜；以及

一第二焊垫，接触该第二欧姆接触金属层；

其中该导电薄膜为一透明导电薄膜。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其中该二层半导体层的材料选自铝镓铟磷化合物与铝铟镓氮化合物组成的族群。

6.如权利要求2所述的发光二极管，其中该接合层的材料选自金-锡合金、铅-锡合金与铟组成的族群。

7.一种形成一发光二极管的方法，包括：

提供一暂时基板；

形成二层半导体层于该暂时基板上；

形成一第一欧姆接触金属层，该第一欧姆接触金属层接触该二层半导体层之一；

形成一导电薄膜，该导电薄膜接触该第一欧姆接触金属层；

200410011799.0权利要求书第2/2页

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形成一反射层，该反射层接触该导电薄膜；

提供一硅基板，该硅基板包括二个区域，该二个区域为不同掺杂类型；以及

利用一接合层接合该反射层与该硅基板，使最接近该接合层的该二层半导体层之一与最接近该接合层的该二个区域之一为不同掺杂类型。

8.如权利要求7所述的方法，其中该掺杂类型包括p型与n型。

9.如权利要求8所述的方法，其中该提供该硅基板的步骤包括：

扩散掺杂该硅基板，以形成至少该二个区域之一。

10.如权利要求8所述的方法，其中该提供该硅基板的步骤包括：

将一p型掺杂硅基板的一部分掺杂成n型。

11.如权利要求8所述的方法，其中该提供该硅基板的步骤包括：

将一n型掺杂硅基板的一部分掺杂成p型。

12.如权利要求8所述的方法，还包括：

去除该暂时基板；