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拓扑绝缘体Bi2Te3的制备工艺与掺杂效应的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

拓扑绝缘体作为凝聚态物理领域中备受瞩目的新型量子材料，在过去十几年里引发了科学界的广泛关注。这类材料展现出与传统材料截然不同的电子结构特性，其内部呈现绝缘态，电子无法自由移动；然而在表面却存在着由时间反演对称性保护的导电电子态，即狄拉克型表面态。这种独特的电子结构赋予了拓扑绝缘体诸多新奇的物理现象，例如量子自旋霍尔效应、量子反常霍尔效应以及拓扑保护的表面态等，使其在未来的电子学、自旋电子学以及量子计算等领域中展现出巨大的应用潜力。

在众多拓扑绝缘体材料体系中，A?B?型拓扑绝缘体（其中A为Bi或者