CN100435447C 过电流保护元件的制作方法 （聚鼎科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书专利号ZL9

[51]Int.Cl.

HO2H9/02(2006.01)

HO1C7/02(2006.01)

HO1C17/00(2006.01)

[45]授权公告日2008年11月19日[11]授权公告号CN100435447C

[22]申请日2002.12.31[21]申请9

[73]专利权人聚鼎科技股份有限公司地址中国台湾

[72]发明人王绍裘马云晋朱复华

[56]参考文献

JP11-176614A1999.7.2CN1296626A2001.5.23CN1256499A2000.6.14CN2519390Y2002.10.30审查员韩蓓蓓

[74]专利代理机构永新专利商标代理有限公司代理人曲瑞

权利要求书1页说明书4页附图1页

[54]发明名称

过电流保护元件的制作方法

[57]摘要

本发明揭示一种过电流保护元件及其制作方法，该过电流保护元件是经由下列步骤制作而成的：(1)提供至少两个高分子电流感测层，该至少两个高分子电流感测层包含阻燃剂，且相邻的高分子电流感测层的转换温度相差至少5℃;(2)将该至少两个高分子电流感测层进行辐照；(3)将该至少二个高分子电流感测层进行退火；及(4)将第一电极箔及第二电极箔与该至少两个高分子电流感测层结合成一层叠结构。其中，该阻燃剂可由氢氧化镁及滑石等惰性材料组成，该至少两个高分子电流感测层可由钴60以小于50Mrads的剂量进行辐照，该至少两个高分子电流感测层可在100至120℃的温度下退火6至20小时。9权利要求书第1/1页

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1.一种过电流保护元件的制作方法，该过电流保护元件的耐电压达到至少250伏，该方法依序包含下列步骤：

提供至少两个高分子电流感测层，所述至少两个高分子电流感测层包含阻燃剂，且相邻的高分子电流感测层的转换温度相差至少5℃;

将所述至少两个高分子电流感测层进行辐照；

将所述至少两个高分子电流感测层进行退火；及

将第一电极箔和第二电极箔分别结合于所述至少两个高分子电流感测层的两个外表面而形成一层叠结构；

其中，所述至少两个高分子电流感测层是经过小于50Mrads的剂量辐照的。

2.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是经钴60辐照的。

3.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述阻燃剂包含氢氧化镁及滑石中之一。

4.根据权利要求1所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是在100℃至120℃的温度下进行退火。

5.根据权利要求4所述的过电流保护元件的制作方法，其特征在于所述至少两个高分子电流感测层是经退火6至20小时的。9说明书第1/4页

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过电流保护元件的制作方法

技术领域

本发明是关于一种过电流保护元件及其制作方法，特别是关于一种可承受高电压的过电流保护元件及其制作方法。

背景技术

随着目前便携式电子仪器例如手机、笔记型计算机、手提式摄影机及个人数字助理器(PDA)等的广泛应用，为防止二次电池或电路元件发生过电流(over-current)或是过高温(over-temperature)现象而造成短路，使用过电流保护元件的重要性也愈来愈显著。

现有的正温度系数(PositiveTemperatureCoefficient,PTC)元件的电阻值对温度变化的反应相当敏锐，PTC元件在正常使用状况时，其电阻可维持极低值，使电路得以正常运作。但是，当发生过电流或过高温的现象而使温度上升至一临界温度时，其电阻值会瞬间跳至一高电阻状态(例如10?ohm以上),从而将过量的电流反向抵消，以达到保护电池或电路元件的目的。因此，该PTC元件已被整合在各种电路元件中，以防止过电流的损害。

美国专利US4,924,074揭示一种三层PTC元件的层叠结构，用以改善PTC元件与其电极间的结合特性，其中该三层PTC元件是接受大于50Mrads(roentgen-absor