CN100428446C 半导体元件及其制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书专利号ZL200510075664.5

[51]Int.Cl.

HO1L21/84(2006.01)HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/324(2006.01)

HO1L21/00(2006.01)

B82B3/00(2006.01)

[45]授权公告日2008年10月22日[11]授权公告号CN100428446C

[22]申请日2005.6.10

[21]申请号200510075664.5

[30]优先权

[32]2004.6.10[33]US[31]60/578,673

[32]2005.4.12[33]US[31]11/104,348

[73]专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址台湾省新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

[72]发明人陈宏玮杨育佳李迪弘杨富量胡正明

[56]参考文献

US6413802B12002.7.2

US6720619B12004.4.13

US2004/0061178A12004.4.1

US2003/0113970A12003.6.19

CN1503372A2004.6.9

US6583469B12003.6.24

审查员闫立刚

[74]专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所

代理人刘新宇

权利要求书4页说明书17页附图20页

[54]发明名称

半导体元件及其制作方法

[57]摘要

形成一SOI基底于半导体层形成掩膜图案化半导体层缩短掩膜以遮蔽部分的图案化半导体层退火以形成圆形的纳米线移除掩膜以曝光圆形的纳米线制造晶体管本发明涉及一种半导体元件及其制作方法，具体涉及一种不具变窄或断裂缺点的纳米线，特别是直径小于20纳米的纳米线，是于退火时利用硅原子堆积而生。其制程为遮蔽一主动区的部分，其中硅

形成一SOI基底

于半导体层形成掩膜

图案化半导体层

缩短掩膜以遮蔽部分的图案化半导体层

退火以形成圆形的纳米线

移除掩膜以曝光圆形的纳米线

制造晶体管

200510075664.5权利要求书第1/4页

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1、一种半导体元件的制作方法，所述半导体元件的制作方法包括：

提供一半导体结构，其包含有一半导体层覆盖在一绝缘材质上；在该半导体层上形成一图案化的掩膜；

在该半导体层上图案化该半导体层以形成一图案化主动区，包含有一源极、一沟道、以及一漏极，其中该沟道是介于该源极与该漏极之间；

修整该图案化的掩膜，从该源极及漏极往该源极及该漏极的中央区域方向内缩；

通过退火的方式将该沟道的棱角变圆滑；以及

退火后移除该图案化的掩膜。

2、根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：其中内缩范围介于20埃到5000埃之间。

3、根据权利要求2所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：是利用一等向蚀刻或一干等离子蚀刻来修整该图案化的掩膜。

4、根据权利要求2所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：该图案化的掩膜包含有一氮布层覆盖在一氧化硅层上，该氮布层是在退火前被移除。

5、根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：该退火是于一充满一气体的环境进行，该气体的种类为氢气、氮气、惰性气体或一上述气体的组合。

6、根据权利要求5所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：退火时该气体的种类为氢气，压力是介于10?9托尔到800托尔之间；或是退火时该气体的种类为氮气，压力是介于109托尔到800托尔之间。

7、根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：其是于一反应室于一真空环境下进行退火，其压力是介于10

200510075664.5权利要求书第2/4页

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10托尔到103托尔之间。

8、根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于：其是于一反应室在摄氏600度到摄氏1200度下进行退火，退火时间是介于1秒到2小时之间。

9、根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于另包含有：于移除该图案化的掩膜前，掺杂该半导体层的曝露部分。

10、一种半导体元件，根据权利要求1所述的方法制作而