CN100440388C 一种制作abo3型钙钛矿结构复氧化物离子导体的激光熔凝合成方法 （天津理工大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200610015568.6

[45]授权公告日2008年12月3日

[51]Int.Cl.

H01B13/00(2006.01)

HO1B1/08(2006.01)

书C04B35/622((2006.01)

书

B22F3/16(2006.01)

B23K26/00(2006.01)

[11]授权公告号CN100440388C

[22]申请日2006.9.1

[21]申请号200610015568.6

[73]专利权人天津理工大学

地址300191天津市南开区红旗南路263号

[72]发明人孙家枢

[56]参考文献

US5096882A1992.3.17

US2006/0008696A12006.1.12

CN1665966A2005.9.7审查员俞文良

[74]专利代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人侯力

权利要求书1页说明书4页

[54]发明名称

一种制作ABO?型钙钛矿结构复氧化物离子导体的激光熔凝合成方法

[57]摘要

激光熔凝合成法制作ABO?型钙钛矿结构复氧化物离子导体。该方法按常规法配料，经较低压力压制、短时烧结制坯，再进行激光熔凝合成制得La?-xSrGa?-yMg,O?具有钙钛矿结构异价取代搀杂的ABO?型复氧化物离子导体(分子式中x=0～0.3,y

=0～0.3,z=1/2(x+y)),XRD分析结果表明激光熔凝合成法制作的La?-xSrGa?-yMg,O?-2具有ABO?型钙钛矿结构。其电导特性符合离子导电的Arrhenius方程o=(o?/T)exp(-E/kT)规律。

与同样材质的常规等静压一烧结法相比，激光熔凝合成法可缩短烧结时间，实现液相相互作用、发生合成反应，制得的La?-SrGa?-,Mg,O?_z具有钙钛矿结构异价取代搀杂的ABO?型离子导体有较低的导电活化能。

200610015568.6权利要求书第1/1页

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1、一种制作ABO?型钙钛矿结构复氧化物离子导体的激光熔凝合成方法，其特征是ABO?型钙钛矿结构复氧化物离子导体是指La?-Sr?Ga1-Mg,O?-2钙钛矿结构异价搀杂的ABO?复氧化物离子导体，分子式中x=0~0.3,y=0~0.3,z=(x+y)/2,其制作方法如下：

a.依常规方法，根据材料设计，选用分析纯原材料；

b.依常规方法，根据制备过程所发生的化学反应，按摩尔百分数计算所需各物质粉末原材料的量，称取粉末原材料；

c.混粉：将上述称好的粉末原材料混合、研磨均匀；

d.压制样坯：将混合好的粉料在压型中，在10~20MPa压力下压制样

坯；

e.预烧结制成样坯：在大气下高温炉内烧结，从室温升温至300~400℃时保温0.5~2小时，继续升温至600~700℃时保温0.5~2小时，继续升温至1200~1400℃时保温1~2小时，烧结制成样坯；

f.激光熔凝合成：用激光器对烧结样坯进行激光熔凝合成；对样坯进行加热时激光功率从低调高至500~800W,对样坯进行加热，经30~60秒，再调高激光功率至1000W以上，激光光斑在样品表面移动扫描，至样坯熔化，再持续加热30~120秒；然后调激光功率，经60~120秒功率渐减至0,样品凝固冷却，制得激光熔凝合成的Lar-SrGa?-Mg,0?-2钙钛矿结构异价搀杂的ABO?复氧化物离子导体。

200610015568.6说明书第1/4页

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一种制作ABO?型钙钛矿结构复氧化物离子导体的激光熔凝合成方法

【技术领域】:本发明属于高新材料制备技术领域，特别是以激光熔凝合成法制作具有钙钛矿结构异价取代搀杂的ABO?型复氧化物离子导体。

【背景技术】:离子导体具有选择性离子导电特性，可用于制作传感器和各类离子器件，又是电化学能量存储与交换系统，固体燃料电池的重要材料；离子导体对一系列化学反应又具有较强的催化特性，因此对这类材料的研究在材料科学、物理学、化学—化工、能源等领域都有重要意义。其中固体氧化物燃料电池，被认为是21世纪高效清洁能源之一。对氧化物离子导