CN100439235C 一种压力传感器硅芯片制作方法 （温州大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200710069726.0

[45]授权公告日2008年12月3日

[51]Int.Cl.

B81C5/00(2006.01)

GO1L1/18(2006.01)

书GO1L9/06(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100439235C

[22]申请日2007.6.27

[21]申请号200710069726.0

[73]专利权人温州大学

地址325035浙江省温州市茶山高教园区共同专利权人昆山双桥传感器测控技术有限公司

复旦大学

[72]发明人薛伟沈绍群王文襄鲍敏杭王权王冰

[56]参考文献

JP11-153503A1999.6.8JP10-82708A1998.3.31CN1731115A2006.2.8

CN1485599A2004.3.31

ASPECIALSILICONDIAPHRAGMPRES-SURESENSORWITHHIGHOUTPUTANDHIGH

ACCURACY.MICHITAKASHIMAZOEETAL.

SensorsandActuators,No.2.1982

基于MEMS技术的超微压压力传感器研究进展.薛伟等.农业机械学报，第37卷第3期.2006

审查员黄军容

[74]专利代理机构温州高翔专利事务所代理人陈乾康

权利要求书3页说明书9页附图4页

[54]发明名称

一种压力传感器硅芯片制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁-膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化-双面光刻对准记号-氧化-光刻背部大膜和光刻正面梁区-背部大膜和正面梁区腐蚀-氧化-光刻背面应力匀散区-背面应力匀散区腐蚀-背面胶保护正面漂净SiO?层-氧化-光刻电阻区-力敏电阻区硼掺杂-光刻浓硼区-浓硼扩散形成欧姆区-正反面淀积氮化硅-光刻引线孔-光刻背小岛、光刻背大岛-正面镀铝层、反刻铝引线、合金化-进入腐蚀工艺流程等步骤。

200710069726.0权利要求书第1/3页

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1、一种压力传感器硅芯片的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)、氧化：将严格清洗后的原材料硅片放入氧化炉，通氧气对硅片双面氧化，温度为1150℃,首先是干氧化10分钟，然后通水蒸汽湿氧化30分钟；

(2)、双面光刻对准记号：对氧化后的硅片双面光刻，形成双面对准记号，其中背面涂胶，前烘温度为80℃,时间为5分钟，正面涂胶，前烘温度80℃,时间为10分钟；

(3)、氧化：对经双面光刻对准记号的硅片再次氧化以使边框背面形成1微米左右的SiO?层，温度为1150℃,首先是干氧化10分钟，然后通水蒸汽湿氧化2小时30分钟；

(4)、光刻背部大膜和光刻正面梁区；

(5)、背部大膜和正面梁区腐蚀：在1:10稀HF酸中漂洗10秒，用冷去离子水冲洗后吹干；在浓度为25%的TMAH中腐蚀70分钟，温度为50℃;

(6)、氧化：通氧气对硅片双面氧化，温度为1150℃,首先是干氧化10分钟，然后通水蒸汽湿氧化30分钟；

(7)、光刻背面应力匀散区，正面光刻胶保护，保留正面氧化层；

(8)、背面应力匀散区腐蚀：在25%的TMAH中腐蚀，大约140分，温度为50℃,腐蚀深度约为12微米，该深度根据硅片原始厚度适当予以调整；

(9)、背面胶保护，正面漂净SiO?层：背面用光刻胶保护，在光刻腐蚀液中，漂净正面的SiO?层；

(10)、氧化：通氧气对硅片双面氧化，温度为1150℃,首先是干氧化10分钟，然后通水蒸汽湿氧化30分钟；

(11)、光刻电阻区；

(12)力敏电阻区硼掺杂：电阻区采用离子束注入，涂二次光刻胶，并保

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留电阻区以外的光刻胶，作为离子束掺杂时的掩蔽层；用四探针测量备片方块电阻为Rs=280Ω/方～300Ω/方；