CN100437935C 芯片型低介电常数介电层和平面电感元件的制作方法 （探微科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200510052126.4

[45]授权公告日2008年11月26日

[51]Int.Cl.

HO1L21/31(2006.01)

HO1L21/822(2006.01)

书HO1F17/002006.01)

书

[11]授权公告号CN100437935C

[22]申请日2005.2.25

[21]申请号200510052126.4

[73]专利权人探微科技股份有限公司地址台湾省桃园县

[72]发明人胡书华黄冠瑞潘锦昌

[56]参考文献黄世民US6383916B12002.5.7

US6323533B12001.11.27

CN1539150A2004.10.20审查员张弘

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书2页说明书5页附图12页

[54]发明名称

芯片型低介电常数介电层和平面电感元件的制作方法

[57]摘要

一种芯片型Low-k介电层的制作方法。首先提供一半导体基底，且该半导体基底包括多个连接垫。接着于该半导体基底的表面形成一感光介电层，并进行一曝光暨显影工艺，去除部分该感光介电层以形成多个开口，其中这些开口至少曝露出