CN100438116C 存储单元、存储体阵列与制作存储单元的方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200510005909.7

[45]授权公告日2008年11月26日

[51]Int.Cl.

HO1L45/00(2006.01)

HO1L27/00(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100438116C

[22]申请日2005.1.26

[21]申请号200510005909.7

[30]优先权

[32]2004.1.26[33]US[31]10/764,750

[73]专利权人旺宏电子股份有限公司地址中国台湾

[72]发明人龙翔澜陈逸舟

[56]参考文献

US6466498B22002.10.15

US2003117831A12003.6.26审查员王欣

[74]专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人寿宁张华辉

权利要求书3页说明书16页附图13页

[54]发明名称

存储单元、存储体阵列与制作存储单元的方法

[57]摘要

一种存储单元，包括一硫属化物随机存取存储单元以及一互补式金氧半导体晶体管电路。互补式金氧半导体晶体管电路用以存取硫属化物随机存取存储单元。此硫属化物随机存取存储单元具有一横截面区域，此横截面区域由一薄膜工艺，及一等向性蚀刻工艺所定义。可根据需要，使此硫属化物结构实施为与一二极管或一选择晶体管的半导体组件串联。此二极管驱使电流通过硫属化物结构。在选择晶体管的一栅极端点被一电压启动后，选择晶体管进而驱使一电流通过硫属化物结构。选择晶体管具有一栅极端点、一源极端点及一漏极端点。栅极端点可有效地与存储体阵列的字线耦合，而源极端点可有效地与存储体阵列的驱动线耦合，及源极端点可有效地与一存储体阵列的位线耦合。

200510005909.7权利要求书第1/3页

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1、一种存储单元，其特征在于其包括：

一基底，该基底具有一表面；

一硫属化物随机存取存储单元，具有用以驱使电流通过的一硫属化物结构，该硫属化物结构具有与该基底表面实质上垂直的一第一侧表面与一第二侧表面，其中电流的路径是由该第一侧表面流向该第二侧表面；以及

一互补式金氧半导体晶体管操作电路，用以存取该硫属化物随机存取存储单元。

2、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于其中所述的硫属化物随机存取存储单元具有一横截面区域，该横截面区域由一薄膜工艺以及一等向性蚀刻工艺所定义。

3、根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于其中所述的硫属化物随机存取存储单元具有一横截面区域，该横截面区域由一硫属化物沉积薄膜工艺以及一等向性蚀刻工艺所定义。

4、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于其中所述的硫属化物随机存取存储单元更包括一硫属化物结构，其与一半导体组件串联。

5、根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于其中所述的半导体组件为一二极管，用以有效地驱使一电流通过该硫属化物结构。

6、根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于其中所述的半导体组件为一选择晶体管，该选择晶体管的一栅极端点被一电压启动后，进而驱使一电流通过该硫属化物结构。

7、根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于其中：

该选择晶体管的该栅极端点有效地与一存储体阵列的一字线耦合；

该选择晶体管的一源极端点有效地与该存储体阵列的一驱动线耦合；以及

该选择晶体管的漏极端点有效地与该存储体阵列的一位线耦合。

8、一种存储体阵列，其特征在于其包括：

多数个硫属化物随机存取存储单元，其耦接至具有一基底表面的一基底，至少一个硫属化物随机存取存储单元具有用以驱使电流通过的一硫属化物结构，其中电流的路径与该基底表面实质上平行；

多数个字线，每一该些字线用以存取一数据字，数据字包括：

该硫属化物随机存取存储单元的一子集合，并对一互补式金氧半导体晶体管电路反应；以及

多数个位线，每一该些位线用以有效地存取该些硫属化物随机存取存储单元中的一硫属化物随机存取存储单元，以响应一字线的判定值。

200510005909.7权利要求书第2/3页

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9、根据权利要求8所述的存储体阵列，其特征在于其中所述的该些硫属化物随机存取存储单元中的每一该些硫属化物随机存取存储单元具有一横截面区域，该横截面区域由一薄膜工艺以及一