CN108389907A 一种晶体管结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108389907A

(43)申请公布日2018.08.10

(21)申请号201810310318.8

(22)申请日2018.04.09

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华尹一凡

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种晶体管结构及其制作方法

(57)摘要

CN108389907A本发明公开了一种晶体管结构，包括：半导体衬底；沟道层，自所述半导体衬底表面向上突出设置；栅极氧化层和栅电极，依次将所述沟道层的侧面和顶面包围；源极和漏极，分设于所述半导体衬底上的沟道层两端；其中，所述沟道层为由第一宽度的硅条和第二宽度的硅条在竖直方向上交替设置所形成的叠层结构，所述源极和漏极具有与沟道层的各层对应的源漏硅条叠层结构；其中，第一宽度大于第二宽度；本发明使形成的沟道具有更大的宽度，从而提升了晶体管性

CN108389907A

CN108389907A权利要求书1/2页

2

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

沟道层，自所述半导体衬底表面向上突出设置；

栅极氧化层和栅电极，依次将所述沟道层的侧面和顶面包围；

源极和漏极，分设于所述半导体衬底上的沟道层两端；

其中，所述沟道层为由第一宽度的硅条和第二宽度的硅条在竖直方向上交替设置所形成的叠层结构，所述源极和漏极具有与沟道层的各层对应的源漏硅条叠层结构；其中，第一宽度大于第二宽度。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述沟道层具有呈凹凸交替形状的侧面轮廓。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，所述半导体衬底材料为单晶硅，所述第一宽度的硅条为第一宽度的硅纳米条，所述第二宽度的硅条为第二宽度的硅纳米条，第一宽度的硅纳米条和第二宽度的硅纳米条交替叠设形成具有凹凸交替形状侧面轮廓的沟道层叠层结构，各层的所述源漏硅条为源漏硅纳米条。

4.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，所述凹凸交替形状的侧面轮廓具有凹凸交替的矩形、梯形或者弧形边缘形状。

5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述源极和漏极叠层结构中的最下层具有第一面积，最下层上方的其他各层具有第二面积；其中，第一面积大于第二面积。

6.一种晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面上覆盖一介质层，在所述介质层中形成连通半导体衬底的第一宽度的沟槽，以及在第一宽度的沟槽两端形成第一层源漏沟槽；

采用外延工艺，在所述第一宽度的沟槽中形成第一宽度的硅纳米条，以及在第一层源漏沟槽中形成第一层源漏硅纳米条；

在上述结构表面上继续覆盖介质层，在新的介质层中形成连通第一宽度的沟槽的第二宽度的沟槽，以及在第二宽度的沟槽两端形成第二层源漏沟槽，在所述第二宽度的沟槽中形成第二宽度的硅纳米条，以及在第二层源漏沟槽中形成第二层源漏硅纳米条；

重复上述步骤，直至形成由第一宽度的硅纳米条和第二宽度的硅纳米条交替叠设所形成的具有凹凸交替形状的侧面轮廓的沟道层，以及对应形成多层源漏硅纳米条的叠层结构；

去除所有的介质层，在所述沟道层的侧面和顶面依次形成栅极氧化层和栅电极，以及在沟道层两端的多层源漏硅纳米条位置形成源极和漏极。

7.根据权利要求6所述的晶体管结构的制作方法，其特征在于，形成各层源漏沟槽时，使所述第一层源漏沟槽具有第一面积，并使所述第二层源漏沟槽及其上方的其他各层源漏沟槽具有第二面积，以形成最下层具有第一面积、最下层上方的其他各层具有第二面积的源极和漏极叠层结构；其中，第一面积大于第二面积。

8.根据权利要求6所述的晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述凹凸交替形状的侧面轮廓的沟道层具有凹凸交替的梯形边缘形状，形成所述梯形边缘形状的方法为：在形成第一宽度的沟槽和第二宽度的沟槽时的刻蚀工艺中，利用沉积在沟槽侧壁的副产物，使形成的沟槽刻蚀图形的开口逐