CN108400123B 晶圆级异质集成高频系统及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108400123B公告日2020.01.14

(21)申请号201810186672.4

(22)申请日2018.03.07

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108400123A

(43)申请公布日2018.08.14

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人马晓华郝跃易楚朋祝杰杰

赵子越

HO1L21/60(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

(56)对比文件

US2015/0287672A1,2015.10.08,US2006/0001123A1,2006.01.05,CN105070699A,2015.11.18,

US9761547B1,2017.09.12,CN107359156A,2017.11.17,

审查员张弓

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230代理人刘长春

(51)Int.CI.

H01L23/48(2006.01)

H01L23/52(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

晶圆级异质集成高频系统及其制作方法

(57)摘要

CN108400123B本发明涉及一种晶圆级异质集成高频系统以及制作方法，至少包括第一衬底、第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片；其中：所述第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片设置于第一衬底、第二衬底之间，包括与所述第一衬底连接的第一芯片和与所述第二衬底连接的第二芯片；所述绝缘键合层上设置有至少一个通孔，所述通孔侧壁涂覆有导电涂层；所述至少两个芯片中的一个与第一衬底连接，至少两个芯片中的另一个与第二衬底连接，且至少两个芯片通过所述通孔进行电连接；所述第一衬底和/或第二衬底上设置有晶圆间键合层对准材料；所述晶圆间键合层对准材料支撑连接所述第一衬底和所述第二衬底。本发明

CN108400123B

CN108400123B权利要求书1/2页

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1.一种晶圆级异质集成高频系统，其特征在于，至少包括第一衬底、第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片；其中：

所述绝缘键合层、至少两个芯片设置于第一衬底、第二衬底之间，所述至少两个芯片包括与所述第一衬底连接的第一芯片和与所述第二衬底连接的第二芯片；

所述绝缘键合层上设置有至少一个通孔，所述通孔侧壁涂覆有导电涂层；

所述至少两个芯片通过所述通孔进行电连接；所述第一衬底和/或第二衬底上设置有晶圆间键合层对准材料；所述晶圆间键合层对准材料支撑连接所述第一衬底和所述第二衬底，使得第一衬底和第二衬底之间保持设定的距离；

所述系统还包括金属互联；所述绝缘键合层包括设置有一个所述通孔的第一绝缘键合层和设置有至少两个所述通孔的第二绝缘键合层；所述芯片还包括与所述第二绝缘键合层连接的第三芯片；

所述第一衬底和所述第二衬底为化合物半导体制作；

所述通孔一端设置有导电微凸点，用于连接另一通孔的导电微凸点，使得位于不同层的通孔对准连接；

所述金属互联连接第二绝缘键合层的至少两个通孔；

所述第一芯片、第二芯片和第三芯片通过所述通孔、所述金属互联和所述导电微凸点连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆级异质集成高频系统，其特征在于，所述晶圆间键合层对准材料包括设置于所述第一衬底上的第一晶圆间键合层对准材料和设置于所述第二衬底上设的第二晶圆间键合层对准材料；所述第一晶圆间键合层对准材料与第二晶圆间键合层对准材料键合或堆叠在一起。

3.根据权利要求1所述的晶圆级异质集成高频系统，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底中的至少一个包括衬底材料和外延材料；所述外延材料设置于所述衬底材料一侧。

4.根据权利要求3所述的晶圆级异质集成高频系统，其特征在于，所述第一衬底为碳化硅衬底；所述第二衬底为磷化铟衬底。

5.根据权利要求1所述的晶圆级异质集成高频系统，其特征在于，所述芯片为氮化镓功率放大器芯片、氮化镓移相器芯片、磷化铟低噪声放大器芯片、磷化铟功率开关芯片、滤波器芯片、和天线阵列中的一种。

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