CN108398737A 一种基于电子束曝光的光栅制作方法 （国家纳米科学中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108398737A

(43)申请公布日2018.08.14

(21)申请号201810229247.9

(22)申请日2018.03.20

(71)申请人国家纳米科学中心

地址100190北京市海淀区中关村北一条

11号

(72)发明人陈佩佩董凤良褚卫国

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人孟金喆

(51)Int.CI.

GO2B5/18(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

CN108398737

CN108398737A

(57)摘要

本发明实施例公开了一种基于电子束曝光的光栅制作方法。所述方法包括：在衬底上涂覆电子束胶并烘烤；绘制光栅掩膜图形，并通过电子束曝光图形转换工具调整所述光栅掩膜图形的尺寸，使调整后的光栅掩膜图形的光栅条宽度和光栅条长度是步长的整数倍，分辨率等于步长的整数分之一倍，且小于所述光栅条宽度的最小偏差值，其中所述步长是设定单位长度；采用调整后的光栅掩膜图形对所述衬底进行电子束曝光和显影，得到目标周期的光栅结构。本发明实施例可以减少制作误差，提高光栅的制作精度。

110

在衬底