T_CSEE 0455—2024 高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支撑绝缘子技术规范.docx

T/CSEE0455—2024高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支撑绝缘子技术规范

TechnicalSpecificationforSiliconNitride-basedCompositeCeramicSupportInsulatorsUsedinHigh-voltageDirectCurrentGas-insulatedEquipment

2024-XX-XX发布2024-XX-XX实施

中国电机工程学会发布

前言

本文件按照《中国电机工程学会标准制定程序管理办法》的要求，依据GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国电机工程学会提出并归口。

本文件起草单位：[可填写相关科研院所、陶瓷材料企业、高压电气装备企业、检测机构等，参考同类标准格式]

本文件主要起草人：[参考同类标准格式填写]

本文件为首次发布。

1范围

本文件规定了高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支撑绝缘子（以下简称“支撑绝缘子”）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存及质量承诺。

本文件适用于额定电压≥±200kV高压直流气体绝缘开关设备（HVDC-GIS）、高压直流气体绝缘输电线路（HVDC-GIL）等气体绝缘装备中使用的氮化硅基复相陶瓷材料支撑绝缘子，其他类似用途的支撑绝缘子可参照执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1966-2015耐火材料术语

GB/T4208-2017外壳防护等级（IP代码）

GB/T5593-2019电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法

GB/T10064-2021测定固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率的试验方法

GB/T16927.1-2018高电压试验技术第1部分：一般定义及试验要求

GB/T16927.2-2018高电压试验技术第2部分：测量系统

GB/T26544-2011精细陶瓷室温弯曲强度试验方法

GB/T30835-2014高压直流气体绝缘开关设备

DL/T617-2018气体绝缘金属封闭开关设备检修规程

DL/T864-2015高电压直流输电设备绝缘配合

IEC60672-4绝缘子第4部分：固体绝缘材料绝缘子的试验

IEC62271-203高压开关设备和控制设备第203部分：气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1氮化硅基复相陶瓷材料siliconnitride-basedcompositeceramicmaterial

以氮化硅（Si?N?）为基体，添加一种或多种改性相（如氧化铝、氧化钇、碳化硅等），通过特定成型、烧结工艺制备而成，兼具高强度、高韧性与优良绝缘性能的复合陶瓷材料，其晶体相主要包含α-Si?N?和β-Si?N?两种物相，通过两相协同作用实现硬度与韧性的优化平衡。

3.2支撑绝缘子supportinsulator

采用氮化硅基复相陶瓷材料制成，用于高压直流气体绝缘装备中，承担导体支撑、定位及电绝缘功能的零部件，能承受设备运行过程中的机械载荷、电气应力及环境应力。

3.3额定电压ratedvoltage

支撑绝缘子设计所依据的高压直流电压值，其数值等于高压直流气体绝缘装备的额定电压，单位为千伏（kV）。

3.4局部放电partialdischarge

在支撑绝缘子内部或表面局部区域发生的非贯穿性放电现象，不形成导电通道，仅在局部区域产生电荷转移。

3.5击穿电压breakdownvoltage

支撑绝缘子在规定试验条件下，发生绝缘破坏、形成导电通道时的最低电压值，单位为千伏（kV）。

3.6体积电阻率volumeresistivity

表征氮化硅基复相陶瓷材料内部绝缘性能的参数，指材料内部电场强度与电流密度的比值，单位为欧姆·米（Ω·m）。

4基本要求

支撑绝缘子的设计、材料制备、成型、烧结、加工及检验，应符合本文件要求，并满足高压直流气体绝缘装备的运行可靠性、安全性要求，具体基本条件如下：

a)材料制备：氮化硅基复相陶瓷材料的原料纯度、颗粒度及配比应符合设计要求，制备过程应严格控制杂质含量，避免引入影响绝缘性能与机械性能的有害杂质，烧结工艺应能实现材料的致密化，确保两相分布均匀。

b)结构设计：支撑绝缘子的结构应满足高压直流