CN108398737B 一种基于电子束曝光的光栅制作方法 （国家纳米科学中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108398737B公告日2021.08.10

(21)申请号201810229247.9

(22)申请日2018.03.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108398737A

(43)申请公布日2018.08.14

(73)专利权人国家纳米科学中心

地址100190北京市海淀区中关村北一条

11号

(72)发明人陈佩佩董凤良褚卫国

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人孟金喆

(51)Int.CI.

(56)对比文件

CN1573575A,2005.02.02

CN103576221A,2014.02.12

陈宝钦.“电子束光刻技术与图形数据处理技术”.《微纳电子技术》.2011,第345-352页.

审查员罗文全

GO2B5/18(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

CN108398737

CN108398737B

(57)摘要

本发明实施例公开了一种基于电子束曝光的光栅制作方法。所述方法包括：在衬底上涂覆电子束胶并烘烤；绘制光栅掩膜图形，并通过电子束曝光图形转换工具调整所述光栅掩膜图形的尺寸，使调整后的光栅掩膜图形的光栅条宽度和光栅条长度是步长的整数倍，分辨率等于步长的整数分之一倍，且小于所述光栅条宽度的最小偏差值，其中所述步长是设定单位长度；采用调整后的光栅掩膜图形对所述衬底进行电子束曝光和显影，得到目标周期的光栅结构。本发明实施例可以减少制作误差，提高光栅的制作精度。

在衬底上涂覆电子束胶并烘烤

绘制光栅掩膜图形，并通过电子束曝光图形转换工具调整所述光栅

掩膜图形的尺寸，使调整后的光栅掩膜图形的光栅条宽度和光栅条

长度是步长的整数倍，分辨率等于步长的整数分之一倍，且小于所

述光栅条宽度的最小偏差值，其中所述步长是设定单位长度

采用调整后的光栅掩膜图形对所述衬底进行电子束曝光和显影，得到目标周期的光栅结构

-110

120

130

CN108398737B权利要求书1/1页

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1.一种基于电子束曝光的光栅制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上涂覆电子束胶并烘烤；

绘制光栅掩膜图形，并通过电子束曝光图形转换工具调整所述光栅掩膜图形的尺寸；依据目标周期确定光栅条宽度，依据所述光栅条宽度确定步长的大小，使所述光栅条宽度是所述步长的整数倍，依据所述步长确定光栅条长度，使所述光栅条长度是所述步长的整数倍，依据所述步长和所述光栅条宽度的最小偏差值确定分辨率，使分辨率等于步长的整数分之一倍，且小于所述光栅条宽度的最小偏差值，其中所述步长是设定单位长度；所述电子束曝光图形转换工具为BEAMER;

采用调整后的光栅掩膜图形对所述衬底进行电子束曝光和显影，得到目标周期的光栅结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绘制光栅掩膜图形，包括：

通过版图设计工具绘制所述光栅掩膜图形，其中所述版图设计工具包括GDSⅡ或L-Edit。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对衬底进行电子束曝光所使用的电子束加速电压为100KV。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光栅条宽度为50-400nm,所述目标周期为100-800nm。

CN108398737B说明书1/5页

3

一种基于电子束曝光的光栅制作方法

技术领域

[0001]本发明实施例涉及纳米加工技术领域，尤其涉及一种基于电子束曝光的光栅制作方法。

背景技术

[0002]光栅作为一种重要的光学元件被广泛应用于光通信以及光信息处理等领域。尺寸和周期高精度可调光栅具有自聚焦、像差矫正和平焦场等独特性能，在激光受控核聚变装置、同步辐射应用、太空探测器和航空航天飞行器等尖端科技中有重要应用。

[0003]实现光栅高精度可调的方法主要有机械刻划和全息光刻两种。机械刻划通常适用于制作金属表面具有闪耀结构的变周期光栅，缺点是受刀具限制而导致精度低，并且光栅间距往往需要由小段等间距光栅拼接而成。全息光刻制作变周期光栅的优点是光栅周期连续变化(由光路干涉形成)且制