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半导体设备研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.光刻机中控制曝光剂量的关键部件是______。（答案：剂量传感器）

2.等离子体刻蚀常用的氟基气体有CF?和______。（答案：SF?）

3.LPCVD指的是______压力化学气相沉积。（答案：低）

4.检测薄膜厚度的常用方法是______光谱法。（答案：椭圆偏振）

5.湿法刻蚀的主要特点是各向______性。（答案：异）

6.光刻机分辨率公式R=kλ/NA中，NA代表______。（答案：数值孔径）

7.ALD工艺的核心是______吸附-反应循环。（答案：自限性）

8.刻蚀设备常用的射频频率是13.56_____