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CMP抛光工艺辅助技师考试试卷及答案

CMP抛光工艺辅助技师考试试卷及答案

一、填空题（10题，每题1分）

1.CMP的中文全称是________。

2.常用抛光垫材质主要有聚氨酯和________。

3.抛光浆料核心组成包括研磨颗粒、化学试剂和________。

4.抛光压力常用单位是________（psi/kPa）。

5.CMP终点检测常用方法是________检测（光学/电学）。

6.硅晶圆抛光主要研磨颗粒是________。

7.抛光垫修整器作用是恢复垫的________和平整度。

8.晶圆抛光前固定方式通常是________（真空/蜡粘）。

9.抛光后清洗第一步是________。

10.CMP工艺分为氧化层、金属层和________抛光三类。

二、单项选择题（10题，每题2分）

1.铜互连层CMP常用研磨颗粒是？

A.SiO?B.Al?O?C.CeO?D.ZrO?

答案：C

2.抛光垫修整不包括的目的是？

A.去碎屑B.恢复平整度C.降低速率D.保孔隙率

答案：C

3.抛光头运动方式通常是？

A.仅旋转B.旋转+摆动C.仅摆动D.直线

答案：B

4.不属于抛光后晶圆主要污染物的是？

A.研磨颗粒B.金属离子C.光刻胶D.浆料有机物

答案：C

5.抛光压力增大，速率通常？

A.线性增加B.先增后减C.不变D.减小

答案：A

6.SiO?氧化层CMP常用化学试剂是？

A